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IV-VI族半導体中赤外半導体レーザ

液体窒素温度(77K)から150K領域で連続動作する中赤外レーザを開発!

当社で取り扱う「IV-VI族半導体中赤外半導体レーザ」について、 ご紹介いたします。 波長3~4μm帯PbS系レーザ、波長4~6μm帯PbTe系レーザ、波長5~7μm帯 PbSe系レーザ及び波長7μm以上のPbSnTe、PbSnSe系半導体レーザの研究開発、 製造販売を行っております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【種類】 ■波長3~4μm帯PbS系レーザ ■波長4~6μm帯PbTe系レーザ ■波長5~7μm帯PbSe系レーザ ■波長7μm以上のPbSnTe、PbSnSe系半導体レーザ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

関連リンク - https://art-ngs-lab.jp/main-j/products-j/

基本情報

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半導体レーザ IV-VI 族半導体中赤外CWレーザ素子データ

技術資料・事例集

取り扱い会社

1.行動 組織化による、理想的な分担作業を構築、大幅な効率UP,どんな短納期にも低価格で対応。通信設備の充実により、遠方のお客様でも迅速な対応を致します。 両面基板 最短実働1.5日 4層基板 最短実働2?3日(製作実稼働日) 2.信頼 お客様第一主義。 3.技術 当社独自の設計基準書。大手セットメーカー、基板メーカーにも利用されています。定期的に、講師を招いて行う勉強会により、確実な技術のUP,充実を図っています。 デジタルはもとより、アナログ回路・高速回路の設計が可能です。お客様の指定以外は、マニュアルによる設計。マニュアル配線による設計ノウハウが充実しています。 お客様の依頼によっては、回路設計からサポート致します。最新鋭の設備環境により、効率的な技術力の提供が可能です。

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