半導体
半導体
半導体のご紹介です。
1~30 件を表示 / 全 43 件
-
次世代素材で未来のエネルギーに革命を!『GaN パワーデバイス』
トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバイスをご提供!高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適!
最終更新日
-
太陽光発電向け 接続箱用ダイオードスタック
接続箱逆流防止用ダイオードスタックです。 ご要望に応じ、形状・回路数等の変更が可能です。 お気軽にお問い合わせください。
最終更新日
-
DC1000V ダイオード 太陽光発電用接続箱向け
DC1000ストリング対応!! 太陽光モジュールの保護、出力低下防止に効果的。 配線が容易な端子配列を採用
最終更新日
-
ダイオードモジュール
直流ラインの逆流防止用に 配線容易な端子配列を採用。 信頼性の高いカソードコモン結線。
最終更新日
-
モジュール『インフィニオン エコブロック』
接合温度が高いため空冷アプリケーションに好適!熱伝導材料(TIM)も利用可能
最終更新日
-
評価ボード『EVAL-M1-IM818-A』
IM818-MCC IPMを搭載したモータ駆動用評価ボード
最終更新日
-
DC1500V用 ダイオード
逆流防止ダイオードモジュール (3000V 耐圧) を受注開始
最終更新日
-
『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』
高効率・高耐圧GaNスイッチ 研究開発にかかる労力、時間を削減
最終更新日
-
『600V エンハンスモード GaN HEMTs』
スイッチング電源(SMPS)に最適な高効率 窒化ガリウム(GaN) HEMT
最終更新日
-
『高耐圧スーパージャンクションMOSFET』
600V 高耐圧スーパージャンクションMOSFET
最終更新日
-
IGBTモジュール 『XHP』
高出力アプリケーション向けの新しく柔軟なIGBTプラットフォームです。
最終更新日
-
整流用絶縁型ダイオードモジュール DD100KB80/160
DD100KB80/160 整流用絶縁型ダイオードモジュールで、2個のダイオードを内蔵
最終更新日
-
整流用絶縁形ダイオードモジュール DD160KB80 / 160
DD160KB80/160は、整流用絶縁形ダイオードモジュールで、2個のダイオードを内蔵
最終更新日
-
整流量絶縁形ダイオードモジュール DD200KB80 / 160
DD200KB80/160 は、整流用絶縁形ダイオードモジュールで、2個のダイオードを内蔵
最終更新日
-
三相整流ダイオードモジュール DF60LA/LB80/160
絶縁形 一般整流用三相ブリッジダイオードモジュール DF60LA/LB80/160
最終更新日
-
三相整流ダイオードモジュール DF100LA/LB80/160
三相全波整流用絶縁形ダイオードモジュール
最終更新日
-
三相整流ダイオードモジュール DF200AE80/160
三相整流タイオードモジュール
最終更新日
-
逆流防止用ダイオードモジュール DKA60KB80/160
太陽光発電接続箱に実績 DKA60KB80/160
最終更新日
-
高速ダイオードモジュール FDS100CA120
急速充電器に実績 FDS100CA120
最終更新日
-
逆流防止用ダイオードモジュール KD160KB
太陽光発電接続箱に実績
最終更新日
-
非絶縁型ショットキーダイオードモジュール BKR400AB10
大電力整流用 非絶縁形ショットキーダイオードモジュール BKR400AB10
最終更新日
-
DIP 型三相整流ダイオードブリッジ DF60NB160
DIP 型三相整流ダイオードブリッジ
最終更新日
-
トライアック / サイリスタ TMG / SMGシリーズ
トライアック / サイリスタ
最終更新日
-
逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ
IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内蔵
最終更新日
-
SiC (MOSFET/SBD) モジュール
装置の小型化、高効率に貢献 SiCパワーモジュール
最終更新日
-
600V 非絶縁型高速ダイオードモジュール DKR400CA60
高信頼性と軽量化を実現した600V耐圧 トランスファーモールド採用 非絶縁型高速ダイオードモジュール
最終更新日
-
『TRENCHSTOP IGBT7』
静的損失の大幅低減、高電力密度、よりソフトなスイッチングを実現!
最終更新日
-
モジュール『Easy 1B, 2B』
高効率なため運用コストも削減可能。高い電力密度をもつパワーモジュール
最終更新日
-
半導体『650V CoolMOS CFD7ファミリ』
ソフトスイッチングアプリケーションにおける高い効率と電力密度レベルを可能に!
最終更新日
-
モジュール『F3L11MR12W2M1_B74』
CoolSiC トレンチMOSFET技術を搭載!優れたゲート酸化膜信頼性を実現しています
最終更新日