MOS-FET使用 逆流防止モジュール RPシリーズ
電源の冗長運転用ダイオードや高電流ダイオードアプリケーションにおいて、ダイオードモジュールの代替モジュールとして使用可能
TDK-Lambda 逆流防止モジュール RPシリーズ 低オン抵抗のNチャネルMOS-FETを使用したダイオードモジュールです。 製品内部で入力電圧及び出力電圧を監視しており、入力電圧が出力電圧よりも高い場合MOS-FETはオンとなり、入力電圧が出力電圧より低い場合MOS-FETはオフとなるように制御します。 =特長= ■ 電源の並列冗長運転に必要となる冗長ダイオードとしても使用可能 ■ 電源OFF時の蓄電池からの電流の流れ込みを防止する逆流防止回路に最適 ■ 低損失:MOS-FETを使用しているため、ショットキーバリアダイオードと比較して 1) 筐体内の発熱を大幅に削減 2) 出力電圧ドロップを大幅に削減 =用途= ■ バッテリー充電 ■ 電源の冗長運転 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
逆流防止モジュール RPシリーズ =仕様= (RP-60-20) 入力電圧範囲:7~60VDC 最大入力電流:20A 静的逆電流:50uA Max. 内部損失:4W Max. 並列運転:可能 (最大2台まで) *電流バランス機能はありません 冷却方式:自然空冷 サイズ(WxHxD mm):50x26x77.5
価格帯
納期
型番・ブランド名
TDK-Lambda RPシリーズ
用途/実績例
逆流防止モジュール RPシリーズ - コンピューターシステム - サーバー - 太陽光発電システム - テレコム インフラストラクチャー - 計測 - FA - 半導体 - 充電
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