RF パワートランジスタ
高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは、1Ghzまで使用可能
基本情報
【仕様】 ■28V RF MOSFET's ・Freq(MHz)：175～1000 ・Pout(W)：2.5～200 ・Gain(dB)：10～16 ・gfs(Mhos)：0.18～4.8 ・Ojc(C/W max)：0.45℃～5℃ ・Ciss(Pf)：12～360 ・Coss(pF)：6～180 ・Crss(pF)：0.5～15 ・Pkg：DA、DM、DT、DV、DR、DD、DK、DQ、DH、DP ・Style：Single ended、Push pull、 ■12V RF MOSFET's ・Freq(MHz)：175～1000 ・Pout(W)：2.5～50 ・Gain(dB)：10 ・gfs(Mhos)：0.18～3.2 ・Ojc(C/W max)：1℃～10℃ ・Ciss(Pf)：12～240 ・Coss(pF)：10～180 ・Crss(pF)：1～20 ・Pkg：DT、DP、DQ、DK ・Style：Single ended、Push pull、 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途/実績】 ■宇宙、防衛、研究所 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
