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オプション説明一覧 (APSYS)

汎用2D/3D半導体デバイスシミュレータAPSYSのオプション群を説明

半導体デバイスシミュレータAPSYSの様々なオプションや物理モデルについて紹介。

基本情報

3次元電流流れオプション、3次元ベンドメッシュ、アドバンスドk.p摂動モデル、アドバンスドオプティクスモデル/ポンプレーザ、Csupremビルダー/メッシュインターフェイス、エキシトン/多体効果オプション、FDTDインターフェイス、Franz-Keldyshモデルなど様々なオプションや物理モデルについて紹介。

価格帯

納期

用途/実績例

APSYS向けオプション

抵抗スイッチングメモリ(Resistive Switching Memory Model using NovaTCAD)

技術資料・事例集

SiC-JBSシミュレーション(TCAD Demonstration Files for SiC-JBS Simulation)

技術資料・事例集

NovaTCADの紹介(NovaTCAD: An Introduction)

製品カタログ

半導体デバイスシミュレータAPSYS製品仕様/スペック概要

製品カタログ

LEDの転位とV字型ピット(Dislocations and V-shaped Pits in InGaN MQW LED)

技術資料・事例集

量子ドットの自己無撞着モデル(Self-consistent model of individual quantum dot)

技術資料・事例集

MQW LEDおよびマイクロLEDのシミュレーション(Simulation of MQW LED and Micro-LED)

技術資料・事例集

マイクロLEDのTCADシミュレーション(Crosslight TCAD Simulation of Micro-LED)

技術資料・事例集

薄膜トランジスタの曲げ効果のシミュレーション(Simulation of Effects of Bending in TFT)

技術資料・事例集

最小弾性エネルギー応力法(Minimum Elastic Energy Stress Method in CSUPREM)

技術資料・事例集

薄膜トランジスタのヒステリシス特性のシミュレーション(Hysteresis Characteristics in TFT)

技術資料・事例集

LTPS薄膜トランジスタ用の水素イオン拡散(Hydrogen Ion Diffusion for LTPS TFT)

技術資料・事例集

LTPS薄膜トランジスタの多粒界効果(Poly Grain Boundary Effects for LTPS TFT)

技術資料・事例集

LTPSホットキャリア注入劣化のシミュレーション(LTPS Hot Carrier Injection Degradation)

技術資料・事例集

タイプ II 型超格子光検出器の解析(8×8 k.p model of type II SL photodetectors)

技術資料・事例集

トレンチMOSのスイッチングとAC特性(TrenchMOS switching and AC characteristics)

技術資料・事例集

TCADによるパワーデバイスシミュレーション(TCAD Simulation of Power Devices)

技術資料・事例集

重粒子線放射シミュレーション(Introduction to heavy ion radiation simulation)

技術資料・事例集

取り扱い会社

クロスライトソフトウェアインク(前Beamtek Software Inc.)は1992年にカナダ国家科学研究委員会から独立しカナダに本社を設立したインターナショナル企業です。 現在、バンクーバーに本社を構え、1997年上海拠点、2001年9月千葉市に日本支社を設立しました。 当社は、各種半導体レーザーデバイス、発光、受光素子、MEMSおよびMOCVDプロセス等の物性を解析するCADソフトウェアの開発元として、常に最先端な技術で半導体オプトエレクトロニクス、電子デバイス・プロセス技術の先端物理モデルを提供するリーダーカンパニーです。 当社主力製品の3次元半導体レーザーダイオードシュミレーターPICS3Dは1998年、業界誌 Laser Focus World「レーザーフォーカスワールド」より Commercial Technology Achievement Award 「最優秀製品技術賞」を受賞しました。

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