クロスライトソフトウェアインク日本支社 公式サイト

＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア「APSYS」 ■Stanford大学開発のSUPREMをクロスライトが独自に機能拡張した「CSUPREM」 ■マスク編集ツール(GDSII可) ■デバイス断面構造の入力・編集ツール ■シミュレーション結果をグラフィカルに表示 ＜デバイスシミュレーションのための多様な物理モデルや機能＞ ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布 ■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布 ■様々なバイアス条件のもとでのバンド図 ■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果 ■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド ■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布 ■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布 ■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性 ■その他機能や詳細については、カタログをダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版は「試用版お申込フォーム」からお申込みください。

＜インターフェイス＞ ■プロセスシミュレーションとデバイスシミュレーションがGUIを通して制御可能（マスクデータの編集機能、物理モデルやバイアス設定、結果の解析・表示機能、自動処理など） ＜材料マクロ (APSYS)＞ ■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.) ■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.) ■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

＜適用デバイス・モデル＞ ■LDMOS ■LIGBT ■シリコン(ダイオード、JFET、NPNバイポーラ、TFT) ■CCD、CIS ■FDTD(2D/3D Lense、光検出器) ■HBT ■HEMT、FET ■LED(GaN MQW, QDot, OLED, RCLED.) ■デバイスと回路の混在シミュレーション ■NANDフラッシュメモリー ■NEGF(FINFET, HEMT, nanowire, NMOS) ■QWIP ■MESFET ■RTD ■ショットキートンネリング ■フォトニック結晶 ■光検出器 ■太陽電池 ■トンネル接合 ■TypeII型量子井戸光検出器 など ＜解析・プロット＞ ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、過渡解析、etc.)