クロスライトソフトウェアインク日本支社 公式サイト

＜主な特徴＞ ■自己無撞着（自己整合）に電気および光学を 2D/3D シミュレーション ■転送マトリックス、FDTD、およびレイトレーシング光学モデル ■太陽電池は、結晶半導体、酸化物、アモルファス材料、および有機材料などを含む ■単接合および多接合太陽電池 ■表面テクスチャおよび光学コーティング ■非局所トンネル接合モデル ■窒化物材料の界面分極電荷 ■IV 曲線と量子効率を取得するためのユーザーフレンドリーなインターフェイス ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード 　 もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。

＜インターフェイス＞ ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能 ＜材料マクロ＞ ■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.) ■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.) ■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

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APSYS

＜適用デバイス・モデル＞ ■太陽電池 ■光検出器 ■シリコン(ダイオード、JFET、NPNバイポーラ、TFT) ■CCD、CIS ■FDTD(2D/3D Lense、光検出器) ■HBT ■HEMT、FET ■LED(GaN MQW, QDot, OLED, RCLED.) ■デバイスと回路の混在シミュレーション ■NANDフラッシュメモリー ■ナノワイヤー ■NEGF(FINFET, HEMT, nanowire, NMOS) ■QWIP ■MESFET ■RTD ■ショットキートンネリング ■フォトニック結晶 ■トンネル接合 ■TypeII型量子井戸光検出器 ■熱解析 など ＜解析・プロット＞ ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、応答出力、etc.)