直径３０ｍｍ程度～8インチまで対応可能 高抵抗FZウェーハ
直径３０ｍｍ程度から8インチ、高ライフタイム、１万オームを超えるような高抵抗も対応可能！薄化、チップ加工もアレンジいたします！
直径は３０ｍｍ程度～8インチまで、高ライフタイム・低酸素・低炭素が特徴で、1万Ωを超えるような超高抵抗ウェーハの対応も可能です。 センサー用FZウェーハは、パーティクル検査機・IR検査機等に、ハイパワーデバイス用FZウェーハは、サイリスター・IGBT等に、中耐圧用FZウェーハは、IGBT･ダイオード等に利用されています。 ＊Prime Grade FZ ingot（即納可能） 納品時には実測値の入ったメーカーのCofCをおつけします。 ウェーハへの加工も可能です。 仕様） 仕上げ: as ground 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 Ingot length (mm) : 200 - 400 第一OF(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二OF(mm) : N.A. タイプ：N-type Lifetime(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032±700,00 RRV [%] : N.A. ＊在庫は複数本ございます。
基本情報
【特徴】 ○直径3０ｍｍ程度～8インチ対応可能 ○10オーム程度から1万Ωを超えるような超高抵抗まで様々に対応可能 ○高ライフタイム・低酸素・低炭素 〇赤外線用ウインドウ, フィルター, レンズなども対応可能 〇抵抗帯により太陽電池用途などにも用いられます。 [センサー用高抵抗ＦＺウェーハ] ○パーティクル検査機・ＩＲ検査機等に利用可能 〇数千から1万ohmを超えるような高抵抗も可能です。 〇FZ法で製造され不純物が少ない高いライフタイムが特徴です。 [ハイパワーデバイス用ＦＺウェーハ] ○サイリスター・IGBT(＞1200V)等に利用可能 ○抵抗のバラつきが少ない 〇中性子照射を行っており抵抗のばらつきが非常に少なく抑えれれています。 [中耐圧用ＦＺウェーハ] ○IGBT(＞600V)・ダイオード等に利用可能 〇ガスドープで製造されています [高耐圧用ＦＺウェーハ] 〇高耐圧のIGBTなどに使用される中性子されたシリコンウェーハになります。 〇抵抗のばらつきが少ないことが特徴です。 ●詳しくはお問い合わせ下さい。
価格情報
様々な仕様に対応可能ですので、お問い合わせ下さい。
納期
用途／実績例
パワーデバイス、センサー、ディテクター等 ●詳しくはお問い合わせ下さい。
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取り扱い会社
エナテックはシリコンウェーハ関連製品を多数取り扱っており、お客様の御要望に迅速、的確に対応いたします。 設立後40年有余年、Si分野を中心に半導体産業の一角を支えてまいりました。国内外のシリコンメーカー・加工メーカーの協力により、日本のみならず海外市場へも安定的にシリコン材料を供給しています。 半導体及び太陽電池製造メーカー等への評価用テストウェーハ・成膜ウェーハ販売(及び再生加工等の受託加工）を主とし、ダミーウェーハの分野においても、国内にSiの選別工程の倉庫を2箇所有し、お客様のニーズにお答えすべく様々な種類のウェーハをご紹介させて頂いております。 CZシリコンウェーハ以外にもFZシリコンウェーハ、SOIウェーハ、拡散ウェーハ、ＳｉＧｅ，ＧａＡｓ、InP、サファイア、ゲルマニウム、SiCウェーハ、半導体用中古装置、フェライトコア、酸化鉄、高純度化学物質等も取り扱っています。
