システムメモリ
信頼と実績 ～高品質・高信頼性のメモリ～
基本情報
当社のシステムメモリ ■FeRAM （Ferroelectric RAM： 強誘電体メモリ） https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/FeRAM/ ■ReRAM（Resistive Random Access Memory： 抵抗変化型メモリ） https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/reram/ ■NRAM http://www.fujitsu.com/jp/group/fsl/resources/news/press-releases/2016/0831.html
価格帯
納期
用途／実績例
システムメモリの用途につきましては、製品紹介ビデオをご覧ください。
詳細情報
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不揮発性メモリFeRAM （Ferroelectric RAM： 強誘電体メモリ） 従来のEEPROMやフラッシュメモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え回数、低消費電力という特長があります。 用途：カード分野、産業分野、医療、ウェアラブルデバイス、ロボット、ドローンなど
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不揮発性メモリ ReRAM（Resistive Random Access Memory： 抵抗変化型メモリ） 金属酸化膜に電圧を印加することにより抵抗を変化させ、高抵抗と低抵抗の状態の違いによって、“0”と“1”のデータを記録します。 読出し電流は業界最小クラス。さらに読出し耐性は無制限のため読出しメインのアプリケーションに最適です。
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カーボンナノチューブを使った不揮発性メモリ NRAM 組み込み型Flashメモリ比で数千倍の書き換え耐性／書き換えスピードの実現と、将来的には不揮発性メモリによるDRAMの置き換えを目指し、不揮発性メモリ「NRAM」の開発を進めています。
カタログ（3）
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この製品に関するニュース（5）
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125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2MビットFeRAMを開発
ADASなどの先端車載市場向けに最適な不揮発性メモリ 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社*は、125℃動作のFeRAMファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」を追加しました。本製品は、1.7V～1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、評価サンプルを提供中で、6月に量産品の提供を予定しています。 この新製品は、先進運転支援システム（ADAS）などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに最適です。 ■主な仕様 製品名：MB85RS2MLY 容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） 動作周波数：50MHz（最大） 動作電源電圧：1.7V～1.95V 動作温度範囲：-40℃～＋125℃ 書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） パッケージ：8ピンSOP、8ピンDFN 品質規格：AEC-Q100グレード1準拠
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不揮発性メモリのFeRAMでは最大メモリ容量となる8Mビット品を開発
富士通セミコンダクター株式会社は、FeRAMの製品ラインナップでは最大メモリ容量となる8MビットFeRAM「MB85R8M2T」を開発し、今月から量産品を提供しています。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレルインターフェースをもつ不揮発性メモリです。これまでの最大4MビットFRAMのメモリ容量増加や、既に使用中の8MビットSRAMで瞬断対策用バッテリーの削減という要求に対応可能なメモリです。 工場での制御装置、ロボット、工作機械などの産業機械用途で使用しているSRAMを、本FeRAMに置き換えることでバッテリーが不要となり、メモリ部の実装面積を約90%削減するとともに、トータルコストの削減に貢献できます。
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125℃動作のFeRAMでは最大メモリ容量となる4Mビット品を開発
■高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ “MB85RS4MTY”は、倍増した4Mビットのメモリ容量と、1.8V～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作するSPIインターフェースを持つ不揮発性メモリです。125℃の高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、パワーダウン電流が最大30µAと、消費電流を低く抑えているため環境に配慮したシステムの低消費電力化にも貢献します。 ■主な仕様 ・製品名：MB85RS4MTY ・容量（メモリ構成）：4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数：50MHz（最大） ・動作電源電圧：1.8V～3.6V ・動作温度範囲：-40℃～＋125℃ ・書込み/読出し保証回数：10兆回 ・パッケージ：8ピンDFN, 8ピンSOP
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FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトのリニューアル
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトをリニューアルしました。
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メモリ製品カタログを最新版（2021年度版）に更新しました。
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、メモリ製品カタログを最新版（2021年度版）に更新しました。
取り扱い会社
当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能の メモリLSIを、永年にわたって提供しています。 近年、小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、 メモリを組み合わせた適切なソリューションも提案しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
