1MビットFeRAM「MB85RS1MT」
ウェアラブルデバイスの小型化・薄型化を実現する低消費電力の不揮発性メモリ
MB85RS1MTは、3.09 x 2.28 x 0.33mmの小型サイズです。両者を実装面積で比較すると、WL-CSPはSOPの約23%に相当し、約77%の実装面積の削減が可能です。 さらに、本小型パッケージは、クレジットカードの約半分となる0.33mmの薄さを実現しており、実装体積比ではSOPの約95%の体積を削減することができます。 リアルタイムログ・データの記録が頻繁に発生するウェアラブルデバイスへ本FeRAMを導入することで、バッテリーの寿命延長あるいは小型化することが可能になります。 ■主な仕様 ・製品名： MB85RS1MT ・メモリ容量（構成）： 1Mビット（128K x 8ビット） ・インタフェース： SPI （Serial Peripheral Interface) ・動作電源電圧： 1.8V～3.6V ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（＋85℃） ・パッケージ： 8ピンWL-CSP、8ピンSOP
基本情報
1MビットFeRAM「MB85RS1MT」製品の8ピンのウェハーレベル・チップサイズパッケージ（以下、WL-CSP）は、従来の8ピン SOPパッケージ（以下、SOP）と比べ、実装面積が約23%、薄さが約5分の1とSPIインタフェースの1MビットFeRAMとしては業界最小クラスとなる小型サイズです。 WL-CSPのFeRAMは、ウェアラブルデバイス向けに最適なメモリです。アプリケーション本体のボディサイズの小型・薄型化に寄与するとともに、書込み時の消費電力量が極めて少ないFeRAMは、バッテリー寿命の延長に貢献します。
価格帯
納期
型番・ブランド名
MB85RS1MT
用途／実績例
■ウェアラブルデバイス向けに最適なメモリ FeRAMの特長のひとつが、「低消費電力」です。同じ不揮発性メモリの汎用EEPROMと比較すると、データの書込み時間が短いため、書込み時の消費電力量を大幅に減らすことができます。したがって、リアルタイムログ・データの記録が頻繁に発生するウェアラブルデバイスへ本FeRAMを導入することで、バッテリーの寿命延長あるいは小型化することが可能になります。
詳細情報
カタログ（3）
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この製品に関するニュース（12）
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強誘電体メモリ「FeRAM」への呼称変更のお知らせ
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、2022年5月より、当社が提供する 強誘電体メモリの呼称を「FRAM」から「FeRAM」に変更いたしましたので、お知らせします。 1．呼称変更の背景 富士通グループでは、全社DXプロジェクトを2020年7月より立ち上げており、企業風土から 業務プロセスに至るまで様々な変革に取り組んでいます。当社においても、業務の改革や 効率化だけではなく、お客様に発信する情報を分かりやすい表現に変更することも進めています。 その一環として、当社が提供する強誘電体メモリ製品の呼称も「FRAM」から、一般名称である 「FeRAM」へ呼称変更することにいたしました。 2．変更時期 2022年5月以降、当社が公開するウェブサイトやドキュメントの表記を順次変更しています。 新旧の呼称が混在する期間があるため、お客様には混乱を与えてしまい申し訳ありませんが、 ご理解のほどお願い申し上げます。 当社は、今後ともお客様の製品価値の向上につながるメモリ製品の開発および提供を続けてまいります。
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車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFeRAM、量産を開始
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃動作の 4MビットFeRAM「MB85RS4MTY」の量産品提供を、今月から開始しました。 本製品は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1に 準拠しており、高信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム （ADAS）や高性能産業用ロボットに好適なメモリです。
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125℃動作のFeRAMでは最大メモリ容量となる4Mビット品を開発
■高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ “MB85RS4MTY”は、倍増した4Mビットのメモリ容量と、1.8V～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作するSPIインターフェースを持つ不揮発性メモリです。125℃の高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、パワーダウン電流が最大30µAと、消費電流を低く抑えているため環境に配慮したシステムの低消費電力化にも貢献します。 ■主な仕様 ・製品名：MB85RS4MTY ・容量（メモリ構成）：4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数：50MHz（最大） ・動作電源電圧：1.8V～3.6V ・動作温度範囲：-40℃～＋125℃ ・書込み/読出し保証回数：10兆回 ・パッケージ：8ピンDFN, 8ピンSOP
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125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2MビットFeRAMを開発
ADASなどの先端車載市場向けに最適な不揮発性メモリ 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社*は、125℃動作のFeRAMファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」を追加しました。本製品は、1.7V～1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、評価サンプルを提供中で、6月に量産品の提供を予定しています。 この新製品は、先進運転支援システム（ADAS）などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに最適です。 ■主な仕様 製品名：MB85RS2MLY 容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） 動作周波数：50MHz（最大） 動作電源電圧：1.7V～1.95V 動作温度範囲：-40℃～＋125℃ 書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） パッケージ：8ピンSOP、8ピンDFN 品質規格：AEC-Q100グレード1準拠
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125℃動作のFeRAMでは最大メモリ容量となる2Mビット品を開発
当社は、125℃での動作を保証するFRAMファミリーとしては最大メモリ容量となる2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」を開発し、評価サンプルの提供を開始しました。 本製品は125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数を保証する不揮発性メモリです。リアルタイムでの走行データまたは位置データの連続記録が可能で、かつ、停電時でもデータが消えません。したがって、エンジンやモーターによる発熱で高温になる自動車や産業用ロボット向けに最適です。 ■主な仕様 製品名：MB85RS2MTY 容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） 動作周波数：50MHz（最大） 動作電源電圧：1.8V～3.6V 動作温度範囲：-40℃～＋125℃ 書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） パッケージ：8ピンSOP、8ピンDFN 品質規格：AEC-Q100グレード1準拠
取り扱い会社
当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能の メモリLSIを、永年にわたって提供しています。 近年、小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、 メモリを組み合わせた適切なソリューションも提案しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
