4MビットFeRAM「MB85R4M2T」
SRAMと置き換えが可能な不揮発性メモリ、産業機械や業務機器のバッテリーレス・ソリューションを実現
本製品は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリです。汎用SRAMと互換性がある44ピンTSOPパッケージで提供しますので、SRAMを使用している産業機械、業務機器、医用機器では、設計基板を大幅に変更することなく、SRAMを本FeRAMに置き換えることが可能です。それによって、データ保持用のバッテリが不要になるため、最終製品の基板実装面積の削減、省電力化、そしてトータルコストの削減に貢献します。 ■主な仕様 ・容量（構成）： 4Mビット（256K×16ビット） ・電源電圧： 1.8V～3.6V ・動作温度範囲： -40℃～+85℃ ・書き込み/読み出し耐性： 10兆回（10 13回） ・データ保持特性： 10年（+85℃） ・アクセスタイム アドレスアクセスタイム： 150ns（Min） /CEアクセスタイム： 75ns（Max） ・動作電流 動作電源電流： 20mA（Max） スタンバイ電流： 150uA（Max） スリープ電流： 20uA（Max） ・パッケージ： 44ピンTSOP
基本情報
本製品は、汎用SRAMと互換性のある44ピンTSOPのパッケージを採用したことで、産業機械、業務機器、医用機器などデータ記録用に高速アクセスが必要なSRAMを使用しているアプリケーションにおいて、基板設計を大幅に変更することなく、SRAMを本製品に置き換えることが可能です。さらに、データ保持用のバッテリが不要になるため、最終製品の基板実装面積の削減、省電力化、トータルコストの削減に貢献できます。
価格帯
納期
型番・ブランド名
MB85R4M2T
用途／実績例
汎用SRAMと互換性のある44ピンTSOPのパッケージを採用したことで、産業機械、業務機器、医用機器などデータ記録用に高速アクセスが必要なSRAMを使用しているアプリケーションにおいて、基板設計を大幅に変更することなく、SRAMを本製品に置き換えることが可能です。
詳細情報
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実装面積の削減 バッテリによってデータ記録をしていた機器において、SRAMを本FeRAMに置き換えることで、データ保持用のバッテリが不要になります。これによりメモリ部の実装面積を50％以上削減することが可能です。
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消費電力の削減（省電力化） SRAMを使用しているシステムでは、機器のメイン電源がオフになってもメモリのデータを保持するために、データ保持電流が常に流れています。従って、時間当たり約15μWの消費電力が発生しますが、不揮発性メモリのFeRAMではその消費電力がゼロになります。
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トータルコストの削減 FeRAMへの置き換えにより、メモリ部の開発から運用を含めたトータルコストの削減に貢献します。開発時の開発コストでは、バッテリを無くすことによって部品コストを抑えることができます。さらに、機器を数年間使用することを想定すると、SRAM使用時には必要とされていた定期的なバッテリ交換、バッテリ在庫の確保、点検などのメンテナンスにかかる運用コストも不要になります。 従って、このバッテリレス・ソリューションによって、開発コストと運用コストを合わせたトータルコストの削減に寄与することができます。
カタログ（3）
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この製品に関するニュース（12）
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強誘電体メモリ「FeRAM」への呼称変更のお知らせ
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、2022年5月より、当社が提供する 強誘電体メモリの呼称を「FRAM」から「FeRAM」に変更いたしましたので、お知らせします。 1．呼称変更の背景 富士通グループでは、全社DXプロジェクトを2020年7月より立ち上げており、企業風土から 業務プロセスに至るまで様々な変革に取り組んでいます。当社においても、業務の改革や 効率化だけではなく、お客様に発信する情報を分かりやすい表現に変更することも進めています。 その一環として、当社が提供する強誘電体メモリ製品の呼称も「FRAM」から、一般名称である 「FeRAM」へ呼称変更することにいたしました。 2．変更時期 2022年5月以降、当社が公開するウェブサイトやドキュメントの表記を順次変更しています。 新旧の呼称が混在する期間があるため、お客様には混乱を与えてしまい申し訳ありませんが、 ご理解のほどお願い申し上げます。 当社は、今後ともお客様の製品価値の向上につながるメモリ製品の開発および提供を続けてまいります。
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車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFeRAM、量産を開始
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃動作の 4MビットFeRAM「MB85RS4MTY」の量産品提供を、今月から開始しました。 本製品は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1に 準拠しており、高信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム （ADAS）や高性能産業用ロボットに好適なメモリです。
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125℃動作のFeRAMでは最大メモリ容量となる4Mビット品を開発
■高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ “MB85RS4MTY”は、倍増した4Mビットのメモリ容量と、1.8V～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作するSPIインターフェースを持つ不揮発性メモリです。125℃の高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、パワーダウン電流が最大30µAと、消費電流を低く抑えているため環境に配慮したシステムの低消費電力化にも貢献します。 ■主な仕様 ・製品名：MB85RS4MTY ・容量（メモリ構成）：4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数：50MHz（最大） ・動作電源電圧：1.8V～3.6V ・動作温度範囲：-40℃～＋125℃ ・書込み/読出し保証回数：10兆回 ・パッケージ：8ピンDFN, 8ピンSOP
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125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2MビットFeRAMを開発
ADASなどの先端車載市場向けに最適な不揮発性メモリ 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社*は、125℃動作のFeRAMファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」を追加しました。本製品は、1.7V～1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、評価サンプルを提供中で、6月に量産品の提供を予定しています。 この新製品は、先進運転支援システム（ADAS）などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに最適です。 ■主な仕様 製品名：MB85RS2MLY 容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） 動作周波数：50MHz（最大） 動作電源電圧：1.7V～1.95V 動作温度範囲：-40℃～＋125℃ 書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） パッケージ：8ピンSOP、8ピンDFN 品質規格：AEC-Q100グレード1準拠
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125℃動作のFeRAMでは最大メモリ容量となる2Mビット品を開発
当社は、125℃での動作を保証するFRAMファミリーとしては最大メモリ容量となる2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」を開発し、評価サンプルの提供を開始しました。 本製品は125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数を保証する不揮発性メモリです。リアルタイムでの走行データまたは位置データの連続記録が可能で、かつ、停電時でもデータが消えません。したがって、エンジンやモーターによる発熱で高温になる自動車や産業用ロボット向けに最適です。 ■主な仕様 製品名：MB85RS2MTY 容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） 動作周波数：50MHz（最大） 動作電源電圧：1.8V～3.6V 動作温度範囲：-40℃～＋125℃ 書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） パッケージ：8ピンSOP、8ピンDFN 品質規格：AEC-Q100グレード1準拠
取り扱い会社
当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能の メモリLSIを、永年にわたって提供しています。 近年、小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、 メモリを組み合わせた適切なソリューションも提案しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
