不揮発性メモリ『MB85R8M2TA』
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
基本情報
【その他の特長】 ■1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作 ■100兆回のデータ書換え回数を保証 ■アクセススピードは、高速のページモードを使用することにより最大25nsで動作 ■連続したデータ転送をする場合にはSRAMと同等の高速アクセスが可能 ■高速化を実現しながら動作時の低消費電力化も実現 ■動作電流は最大18mA（従来品よりも10％削減） ■スタンバイ電流は最大150µA（同50％削減） ■48ピンFBGAに加えて、従来の4Mビット品からの置き換えが容易な44ピンTSOPの2種類 ■SRAMをご使用中のお客様が新製品の8MビットFeRAMを採用することで、バッテリーを 削減できるメリットがある ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途例】 ■産業機械 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
取り扱い会社
当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能の メモリLSIを、永年にわたって提供しています。 近年、小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、 メモリを組み合わせた適切なソリューションも提案しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
