一般財団法人材料科学技術振興財団　MST 公式サイト

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走査させることにより特定領域を削ったり成膜することが可能です

■微細イオンビームによる試料加工 Gaイオンを試料表面に照射すると、Gaと共に試料表面を構成している原子や分子が真空中にはじき出されます。このスパッタリング現象を応用したエッチングにより、サブミクロンの精度で平滑な断面を作製したり、穴を開けたりすることができます。 ■原料ガス供給による立体構造形成 原料ガスを試料表面に吹き付けて吸着させ、集束イオンビームを目的の領域に照射すると、照射された部分だけが化学変化を起こし、この領域にデポジション薄膜が形成されます。 ■二次電子検出器による観察 サブミクロンオーダーに絞られた集束イオンビームで試料表面を走査し、このとき表面から放出される二次電子を検出してディスプレイ上に画像としてとらえます。これを走査イオン顕微鏡像（SIM像）といいます。

ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得

電子が薄片試料を透過する際､そのまま直進して試料を透過する電子と､原子の種類や結晶性により散乱を起こす電子があります｡散乱した電子は、弾性散乱電子と非弾性散乱電子に大別され、それらの電子を目的に応じて選択して結像することで試料内部の形態・結晶構造・組成・電子状態などの知見を得ます｡