【NexFiのコア技術】高電圧スイッチモジュール
200kV/μs以上のスルーレートを有しており、絶縁試験等にも利用可能！
当社では、パワーデバイスである炭化珪素(SiC)半導体デバイスを活用し、 高電圧機器の開発・生産を行っています。 耐電圧1kVクラスのSiCトランジスタを独自技術により直並列接続し、 10kVをこえる高電圧スイッチモジュールを実現。 高電圧・高速・繰り返しパルスを発生することに成功しています。 SiC搭載の高電圧機器を様々な先進技術・製品に応用することにより、 省エネ、環境問題の解決に貢献してまいります。 【特長】 ■高電圧・高速パルス ・20kVを超える高電圧を100kHz以上でスイッチング ■大電流パルス ・500Aをこえる電流パルスを1kpps以上の繰り返しで出力 ■高スルーレート ・200kV/μs以上のスルーレートを有しており、絶縁試験等にも利用可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
取り扱い会社
ネクスファイ・テクノロジー株式会社は、2021年7月に創業し、 高電圧機器の製造・販売を行っています。 耐電圧1kVクラスのSiCトランジスタを独自技術により直並列接続した 「高電圧スイッチングモジュール」や「高電圧直流電源」などをご用意。 パワーデバイスであるSiCデバイスを活用した独創的・革新的技術により、 未来の豊かな社会づくりに貢献します。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。