CVD、IBDの成膜装置
ヨーロッパ 発の技術！Leuven instruments装置の日本国内代理店 実験～量産に対応できる堆積式の成膜機種
・Shale Cシリーズ：ICP CVD（誘導結合プラズマCVD） 低温条件（<120℃）で緻密な成膜を実現可能 プラズマによる損傷を低減でき、漏れ電流を抑える 高アスペクト比の穴埋めに適用 ・Shaleシリーズ：PE CVD（プラズマCVD） 2周波数のプラズマ源を搭載、SiNx製膜の応力を幅広く制御可能 ・Ganistarシリーズ：IBD（イオンビーム堆積） 低温低圧条件で緻密で高品質な成膜が可能 ダブルイオン源構造となり、高精度な制御が可能 Real-timeでスペクトル分析機能を備える 同一チャンバーでIBD、IBEを両立
基本情報
低価格、短納期で様々なニーズに応える
価格帯
1000万円 ~ 5000万円
納期
応相談
用途／実績例
SiO2、SiNx、SiONなど多様な成膜に適用
