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集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 10mm)

InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板を使用したGaAs 太陽電池

『集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 10mm)』は、 有効セル面積が10mm×10mm=100mm2です。 基板材料はInGaP/GaInAs/Ge on Ge基板で、寸法は10.1×10.5mm±0.1mm。 セル厚みは190±20μmです。 また、接合方法は、溶接をはじめ、ハンダ付や接着が可能です。 【設計及び機械特性(抜粋)】 ■基板材料:InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板 ■ARコーティング:TiOx/Al2Ox ■寸法:10.1×10.5mm±0.1mm ■有効セル面積:10mm×10mm=100mm2 ■セル厚み:190±20μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連リンク - https://www.rikei.co.jp/

基本情報

【その他設計及び機械特性】 ■極性:N on P ■表面電極厚み:≧2.8μm(Ag/Au合金仕上げ) ■裏面電極厚み:≧2.6μm(Ag/Au合金仕上げ) ■接合方法:溶接、ハンダ付、接着 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯

納期

用途/実績例

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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取り扱い会社

株式会社理経は1957年設立、65年目を迎えるIT及びエレクトロニクス業界のソリューションベンダーです。 システムソリューション、ネットワークソリューション、電子部品及び機器の分野で、世界の最先端技術・先進的な製品を核とした多彩なソリューションを、お客様のニーズに合わせた最適な「一歩先のソリューション」として提案しています。

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