集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 10mm)
InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板を使用したGaAs 太陽電池
『集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 10mm)』は、 有効セル面積が10mm×10mm＝100mm2です。 基板材料はInGaP/GaInAs/Ge on Ge基板で、寸法は10.1×10.5mm±0.1mm。 セル厚みは190±20μmです。 また、接合方法は、溶接をはじめ、ハンダ付や接着が可能です。 【設計及び機械特性(抜粋)】 ■基板材料：InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板 ■ARコーティング：TiOx/Al2Ox ■寸法：10.1×10.5mm±0.1mm ■有効セル面積：10mm×10mm＝100mm2 ■セル厚み：190±20μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【その他設計及び機械特性】 ■極性：N on P ■表面電極厚み：≧2.8μm(Ag/Au合金仕上げ) ■裏面電極厚み：≧2.6μm(Ag/Au合金仕上げ) ■接合方法：溶接、ハンダ付、接着 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
