ピンフォトダイオードチップ/チップオンサブマウント型
波長は1300～1600nm！計測機器、データコム、FTTHなどの用途に使用可能
当製品は、InP基板上にMOCVD(Metal Organic Vapor Deposition)で 成長させたInGaAs材料を使用したフォトダイオードです。 1300nmから1600nmの広い動作波長範囲に対応した前面入射型で、 サブマウントに容易に実装することができます。 ご用命の際は当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■InGaAs材料 ■平面的なZn拡散構造 ■直径70μmの受光部 ■前面入射型フォトダイオード ■高い応答性(0.85 A/W on a Wide Range (1300nm to 1600nm)) ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
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価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■2.5Gb/sレシーバモジュール ■テレコム ■計測機器 ■データコム ■FTTH ■防衛 ■医療 ■産業用途 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
カタログ（2）
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取り扱い会社
弊社の強みは、その製品や市場性を理解し、ハード製品の流通・提供だけでなく先を見据えたトータル・ソリューションでのご提案ができるところにあります。 問題解決・提案型の営業を基軸とし、新たな価値をお客様と一緒に創造していくことを目指しています。
