【FeRAM/ReRAM】RAMXEED
不揮発性メモリ！それぞれ異なる特長をもっているため得意とする用途も異なります
当社で取り扱っているFeRAM/ReRAMメーカー、RAMXEEDを ご紹介いたします。 強誘電体メモリの「FeRAM」は、不揮発性・高書換耐性・高速書込み・ 低消費電力の4つの特長を備えたメモリです。電源を切ってもデータは 消えません。また、データの重ね書きが可能です。 その他、抵抗変化型メモリの「ReRAM」は、不揮発性・低読出し電流・ 大容量・超小型パッケージの特長を備えたメモリです。 ※RAMXEEDは2025年1月1日より富士通セミコンダクターメモリソリューションから社名変更いたします 【FeRAM 特長】 ■バッテリーフリー(グリーン化製品) ■書換回数がEEPROMの最大1億倍 ■書換えコマンドの発行不要 ■書込みのための内部昇圧不要 ■書込み時間が短いため、書込み時の消費電力が小さい ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【ReRAM 特長】 ■電源を切ってもデータが消えない ■バッテリーフリー(グリーン化製品) ■平均0.15mAと僅少(5MHz動作時) ■最大でも0.7mA(10MHz動作時) ■12Mビットの大容量 ■約2mm×3mmの11ピンWL-CSP ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
