レポート Intel 22nm Haswell eDRAM
Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです
「Intel(R) 22nm Haswell eDRAM」は、IntelGT3 graphicssing unit (GPU) に搭載されている Haswell G82494 プロセッサーにあたる埋込型（エンペッド）DRAM である Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです。 このインテグレーテッド・グラフィックユニットはローエンドGT1、ミッドレンジGT2、ハイエンドGT3等の様々な特色を持っています。GPU ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。 【特徴】 ■GT3e：メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている ■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
基本情報
【その他】 ○埋込型DRAMキャパシター（0.029μｍ2 cell size）はトレンチパターンでILDダイエレクトニクスに構成されており、メタル3層4層でサポートされている。 ○キャパシタートレンチの下部（底）はビア1とメタル2層Ta-based バリア層によりサポートされている。 ○NMOS FinFET トランジスタはeDRAMアクセストランジスタに使われており、ワードラインピッチは107nm。 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
価格帯
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【用途】 ○構造解析レポートとして ●詳しくはお問い合わせください。
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『TechInsights』は、半導体・電子部品分野の技術解析レポート、半導体市場調査レポート、及び半導体コスト分析レポートを提供する世界最大級の半導体関連情報リソースです。 過去、現在、未来における半導体業界の情報を元に企業の重要な意思決定を行う場面やその専門家の方々に情報を提供。 独自に蓄積した詳細な解析結果や市場の洞察を統合し、 半導体市場の足元の短期市況から長期予測、さらには技術トレンドまでを把握できるレポートを提供。 事業計画や開発方針の策定など、重要な経営判断を強力にサポートします。 【特長】 ■半導体・電子部品分野向けの技術解析・市場調査・コスト分析を提供 ■先端ロジック、先端パッケージ、DRAM メモリ、3D NANDメモリ、イメージセンサー、パワー半導体など、 主な半導体デバイスの構造解析から、プロセスフロー分析、回路解析まで幅広い解析を提供 ■スマートフォン、車載機器、家電、IoT機器、基地局、ノードなど幅広い機器の解析に対応 ■装置・材料・デバイスの各分野に対応した専門的な分析が可能 ■短期～長期の市況予測をカバー