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「Intel(R) 22nm Haswell eDRAM」は、IntelGT3 graphicssing unit (GPU) に搭載されている Haswell G82494 プロセッサーにあたる埋込型（エンペッド）DRAM である Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです。 このインテグレーテッド・グラフィックユニットはローエンドGT1、ミッドレンジGT2、ハイエンドGT3等の様々な特色を持っています。GPU ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。 【特徴】 ■GT3e：メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている ■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【その他】 ○埋込型DRAMキャパシター（0.029μｍ2 cell size）はトレンチパターンでILDダイエレクトニクスに構成されており、メタル3層4層でサポートされている。 ○キャパシタートレンチの下部（底）はビア1とメタル2層Ta-based バリア層によりサポートされている。 ○NMOS FinFET トランジスタはeDRAMアクセストランジスタに使われており、ワードラインピッチは107nm。 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【用途】 ○構造解析レポートとして ●詳しくはお問い合わせください。