レポート サムソンメモリーセルのプロセス比較レポート
20nm class DRAMと0nm class 2Gb DDR3DRAMのセル構成を比較したレポートです。
「Samsung 20nm class 3GB(6x4Gbit) LPDDR3」の構造解析を再構成したものです。 主な目的は20nm class DRAMとそれの一世代前の30nm class 2Gb DDR3 DRAMのセル構成を比較するものです。（20nm classは単に”2X nm”と指定されています。） 【特徴】 ■6つの2X nm class4GBを使用しているチップ ■一つのパッケージ内に3チップスタック・2セットが対称に構成 ■パッケージの厚さ：6つのダイ構成で0.8mm その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
基本情報
【目次】 Executive Summary Device Summary Process Summary 1.0 Package and Die Markings 2.0 Process 3.0 Layout and Structural Analysis of the Memory Cell 4.0 Critical Dimensions 5.0 Major Findings 6.0 Materials Analysis その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
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【用途】 ○構造解析レポートとして ※詳細は資料請求して頂くか、ダウンロードからPDFデータをご覧下さい。
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『TechInsights』は、半導体・電子部品分野の技術解析レポート、半導体市場調査レポート、及び半導体コスト分析レポートを提供する世界最大級の半導体関連情報リソースです。 過去、現在、未来における半導体業界の情報を元に企業の重要な意思決定を行う場面やその専門家の方々に情報を提供。 独自に蓄積した詳細な解析結果や市場の洞察を統合し、 半導体市場の足元の短期市況から長期予測、さらには技術トレンドまでを把握できるレポートを提供。 事業計画や開発方針の策定など、重要な経営判断を強力にサポートします。 【特長】 ■半導体・電子部品分野向けの技術解析・市場調査・コスト分析を提供 ■先端ロジック、先端パッケージ、DRAM メモリ、3D NANDメモリ、イメージセンサー、パワー半導体など、 主な半導体デバイスの構造解析から、プロセスフロー分析、回路解析まで幅広い解析を提供 ■スマートフォン、車載機器、家電、IoT機器、基地局、ノードなど幅広い機器の解析に対応 ■装置・材料・デバイスの各分野に対応した専門的な分析が可能 ■短期～長期の市況予測をカバー