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本レポートはIntel、TSMC、Samsung が製造する 7 つの最先端20nmクラス先進的ロジックデバイスのプロセス比較です。 本レポートは、コアロジックトランジスタ、I/O トランジスタ、メタライゼーション、SRAM レイアウトの製造に使用されている構造および材料について考察いたします。 【特徴】 ○主要な設計および製造革新の把握 ○情報に基づく技術リソース投資の意思決定 ○貴重な「侵害証拠 (EoU)」情報による IP 活動のサポート 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【目次】 ○パッケージとダイ ○ペリフェラル NMOS、PMOS、I/Oトランジスタ ○メタライゼーション ○SRAM セルアーキテクチャ5 メジャーファインディング ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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