レポート「Intel 14 nm M5Y70 プロセッサ」

ロジック詳細構造解析レポート、トランジスタ特性レポート

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基本情報

【目次】 [ロジック詳細構造解析レポート] ○パッケージとダイの概要 ○基板およびアイソレーション解析 ○代表的なペリフェラルトランジスタ ○メタルおよび誘電体 ○コンタクトおよびバイアス ○入出力トランジスタ ○SRAM (最小セルサイズ 6T または 8T) ○一部の層の材料解析 ○寸法 ○主な発見 [トランジスタ特性レポート] ○しきい値電圧 (線形および飽和) ○駆動電流 (IDSAT) ○リーク電流 (ゲートおよびチャネルの両方) ○サブしきい値勾配 ○相互コンダクタンス ○突き抜け電圧 ○プロセス利得係数 ○IDS 対 VGS のグラフ ○IDS 対 VDS のグラフ ○参考クロスセクションとイメージング ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。