TD Imaging | 半導体故障解析装置（発熱計測）
熱反射×レーザー技術で、LITでは検出が難しかった金属層下の発熱箇所を2μmまで絞り込み、発熱解析の限界を突破します。
TD Imagingは、浜松ホトニクスが開発・特許を取得したレーザースキャンによる熱反射法を用いた新しい発熱解析手法です。 1300nmの近赤外レーザーと比べると、670nmの短波長レーザーでは銅やアルミなど金属表面で4倍以上のS/N比を達成します。 さらに、発熱箇所を2μmまで絞り込めるため、従来のLITでは困難だった金属層下の欠陥箇所特定も可能にします。 また、広範囲からの検出に優れるLITとの併用により、電気的故障解析（EFA）から物理的故障解析（PFA）まで、解析フロー全体の精度と効率を飛躍的に高めます。
基本情報
項目 : 内容 測定方式 : レーザー熱反射（ThermoReflectance）法 絞込み精度 : 約2μm 使用波長 : 670nm（他波長も選択可） 計測時間 : 約90秒（視野フルサイズ最速） 対応装置 : PHEMOS-X / Dual PHEMOS-X（改造でiPHEMOS-MPXにも対応可）
価格帯
納期
用途／実績例
生成AI用半導体等の3次元構造化や微細化が進む先端半導体デバイスの欠陥箇所特定の成功確率を向上させます。
