SiC半導体評価用試験器
大容量の試験を少ない消費電力で実現！実機搭載状態に近い条件で、波形の確認が可能
当装置はSiC半導体や、SiC半導体と組合わせて使用する装置を、実機に搭載 させる事なく、実環境に近い評価試験が可能となる装置です。 実機搭載状態に近い条件で、損失、発熱、騒音、耐久性、各種計測器を 用いて波形の確認が可能となります。 また、回生機能を有している為、大容量の試験を少ない消費電力で実現。 SiC半導体以外の、車載用リアクトル、IGBT、IPM用の試験器へ応用もできます。 【特長】 ■SiC半導体と組合わせて使用する装置を、実機に搭載させる事なく、 実環境に近い評価試験が可能となる ■実機搭載状態に近い条件で、損失、発熱、騒音、耐久性、各種計測器を 用いて波形の確認が可能 ■回生機能を有している為、大容量の試験を少ない消費電力で実現 ■SiC半導体以外の、車載用リアクトル、IGBT、IPM用の試験器へ応用も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【仕様例】 ■出力周波数：100kHz ■印加電圧：DC250V ■印加電流：DC150A ■入力仕様：三相AC200V 50/60Hz ■販売価格（税抜き）：700万円 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
