Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケーションに応用頂けるアニール炉です。ユニテンプジャパン製
『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下24本のIR (赤外）ヒーターで、正確な高速加熱が可能 ■高純度石英チャンバー ■窒素ガスパージ方式による降温に対応 ■プロセスガス最大4系統(MFC) ■到達真空度10-1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能） ■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 570mm ■装置重量：約80kg ■有効対象物サイズ（WxD）：156 x 156mm ■加熱方式：クロス配列IRヒーター ■最大到達温度：1000℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/sec. ※EPモデルは150K/sec. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1200℃>400℃） ■冷却方式：窒素ガスパージ方式 ■真空到達度：10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa ■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700） ■プロファイルプログラム登録数：最大50プログラム ■プログラムステップ数：最大50ステップ ■プロセスデータ保存先：USBメモリ/Ethernet ■電源仕様：2x三相200V 50/60Hz 最大40A（合計80A） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格情報
1000万〜1500万円（機種・オプションに依る）
価格帯
1000万円 ~ 5000万円
納期
応相談
ご注文確定より最短3ヶ月〜4ヶ月（状況により納期が変動しますので、詳しくはお問い合わせください。）
型番・ブランド名
RTP-150/RTP-150-HV/RTP-150-EP
用途／実績例
【用途】 ■SiからSiC,GaN,Ga203材料など様々な高温熱処理 ■窒化・酸化膜生成 ■イオン注入後の結晶活性化 ■オーミック性接合形成 ■Low-k材熱処理 ■水素アニール処理によるSiラフネス低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ラインアップ（6）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| RTP-100 | |
| RTP-100-HV | |
| RTP-150 | |
| RTP-150-HV | |
| RTP-150-EP | |
| VPO-1000-300 |
カタログ（3）
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取り扱い会社
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