富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、2025年1月1日付で社名を「RAMXEED株式会社」に変更いたします。

当社が提供するFeRAM、ReRAMのメモリ製品およびバッテリーレスソリューションを 掲載しているメモリ製品カタログの最新版が完成しました。 お客様の課題と解決策の一例も掲載されています。 ※2025年1月1日の社名変更に伴い、新社名版のカタログを公開しました。 ※詳しくは下記関連カタログよりご確認ください。

当社が提供するFeRAM、ReRAMのメモリ製品およびバッテリーレスソリューションを 掲載しているメモリ製品カタログの最新版が完成しました。 お客様の課題と解決策の一例も掲載されています。 ※詳しくは下記関連カタログよりご確認ください。

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、2022年5月より、当社が提供する 強誘電体メモリの呼称を「FRAM」から「FeRAM」に変更いたしましたので、 それに伴いFeRAMの紹介資料を更新いたしました。 【FeRAM紹介資料】 ■「FeRAMの基礎編」 そもそもFeRAMとは何か？を説明した技術資料 ■「FeRAMの商談事例」 FeRAMはどんな用途に使われているの？を説明した事例集 ※詳しくは下記関連カタログよりご確認ください。

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、2022年5月より、当社が提供する 強誘電体メモリの呼称を「FRAM」から「FeRAM」に変更いたしましたので、お知らせします。 1．呼称変更の背景 富士通グループでは、全社DXプロジェクトを2020年7月より立ち上げており、企業風土から 業務プロセスに至るまで様々な変革に取り組んでいます。当社においても、業務の改革や 効率化だけではなく、お客様に発信する情報を分かりやすい表現に変更することも進めています。 その一環として、当社が提供する強誘電体メモリ製品の呼称も「FRAM」から、一般名称である 「FeRAM」へ呼称変更することにいたしました。 2．変更時期 2022年5月以降、当社が公開するウェブサイトやドキュメントの表記を順次変更しています。 新旧の呼称が混在する期間があるため、お客様には混乱を与えてしまい申し訳ありませんが、 ご理解のほどお願い申し上げます。 当社は、今後ともお客様の製品価値の向上につながるメモリ製品の開発および提供を続けてまいります。

富士通セミコンダクター製品 不揮発性メモリ「FeRAM」のアプリケーションの紹介をより詳しく掲載しました。

～ 極寒地で信頼性の高い動作が要求される産業機械向けに最適 ～ 富士通セミコンダクター株式会社は、-55℃という非常に低い温度環境下での動作を保証するメモリとして、64KビットFeRAM 「MB85RS64TU」を開発し、量産品を提供しています。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジの動作電圧範囲をもち、競合メモリよりも低温動作が可能な不揮発性メモリです。 -55℃の低温でも10兆回のデータ書換え回数を保証しており、特に極寒地域での天然ガスやオイルの発掘に使われるフィールド装置などの産業機械向けとして最適です。本FeRAMは低温環境下だけではなく、一般的な計測機器、流量計、ロボットなどの産業分野にも利用できます。 ＜主な仕様＞ 製品名：MB85RS64TU 容量（メモリ構成）：64Kビット（8K x 8ビット） インターフェース：SPI （シリアル・ペリフェラル・インターフェース） 動作周波数：最大10MHz 動作電源電圧：1.8V～3.6V 動作温度範囲：-55℃～＋85℃ 書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） パッケージ：8ピンSOP、8ピンSON

ADASなどの先端車載市場向けに最適な不揮発性メモリ 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社*は、125℃動作のFeRAMファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」を追加しました。本製品は、1.7V～1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、評価サンプルを提供中で、6月に量産品の提供を予定しています。 この新製品は、先進運転支援システム（ADAS）などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに最適です。 ■主な仕様 製品名：MB85RS2MLY 容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） 動作周波数：50MHz（最大） 動作電源電圧：1.7V～1.95V 動作温度範囲：-40℃～＋125℃ 書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） パッケージ：8ピンSOP、8ピンDFN 品質規格：AEC-Q100グレード1準拠

富士通セミコンダクター株式会社は、FeRAMの製品ラインナップでは最大メモリ容量となる8MビットFeRAM「MB85R8M2T」を開発し、今月から量産品を提供しています。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレルインターフェースをもつ不揮発性メモリです。これまでの最大4MビットFRAMのメモリ容量増加や、既に使用中の8MビットSRAMで瞬断対策用バッテリーの削減という要求に対応可能なメモリです。 工場での制御装置、ロボット、工作機械などの産業機械用途で使用しているSRAMを、本FeRAMに置き換えることでバッテリーが不要となり、メモリ部の実装面積を約90%削減するとともに、トータルコストの削減に貢献できます。

～ ドライブレコーダの位置情報などリアルタイムでのデータ書換えに最適なメモリ ～ 富士通セミコンダクター株式会社は、シリアルインターフェースの最大メモリ容量である4MビットFeRAM「MB85RS4MT」を開発し、今月から量産品を提供しています。 MB85RS4MTは、エッジコンピューティングの拡大、センサー情報のデータ量の増大という環境の変化により、既存のEEPROMを使用しているお客様からの「書換え回数を増やしたい」、「書換え時間を短くしたい」、「メモリ容量を増やしたい」という要求に応えて開発されたメモリです。 本FeRAMは、ドライブレコーダ/運行レコーダ、ロボット、工作機械、計測装置、メーター、民生機器などリアルタイムでの頻繁なデータログが必要とされるあらゆるアプリケーションに最適です。

5V動作の温度センサーを使用する車載および産業機械向けに最適 　当社は、125℃動作を保証するFeRAM製品ファミリーでは初の電源電圧が5Vの製品として、SPIインターフェースをもつ64Kビット FeRAM 「MB85RS64VY」を開発しました。現在、評価サンプルを提供中で、2019年第1四半期には量産を予定しています。 　FeRAMは、高速書込み、高書換え耐性、低消費電力の特長をもち、EEPROMの高性能互換品として多くのお客様に採用されています。今回開発した製品は、温度センサーなど5V動作の電子部品が使用されている車載向け電装品および産業機械向けに最適です。

当社は、125℃での動作を保証するFRAMファミリーとしては最大メモリ容量となる2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」を開発し、評価サンプルの提供を開始しました。 　本製品は125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数を保証する不揮発性メモリです。リアルタイムでの走行データまたは位置データの連続記録が可能で、かつ、停電時でもデータが消えません。したがって、エンジンやモーターによる発熱で高温になる自動車や産業用ロボット向けに最適です。 ■主な仕様 　製品名：MB85RS2MTY 　容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） 　インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） 　動作周波数：50MHz（最大） 　動作電源電圧：1.8V～3.6V 　動作温度範囲：-40℃～＋125℃ 　書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） 　パッケージ：8ピンSOP、8ピンDFN 　品質規格：AEC-Q100グレード1準拠

■高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ “MB85RS4MTY”は、倍増した4Mビットのメモリ容量と、1.8V～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作するSPIインターフェースを持つ不揮発性メモリです。125℃の高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、パワーダウン電流が最大30µAと、消費電流を低く抑えているため環境に配慮したシステムの低消費電力化にも貢献します。 ■主な仕様 ・製品名：MB85RS4MTY ・容量（メモリ構成）：4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数：50MHz（最大） ・動作電源電圧：1.8V～3.6V ・動作温度範囲：-40℃～＋125℃ ・書込み/読出し保証回数：10兆回 ・パッケージ：8ピンDFN, 8ピンSOP

富士通セミコンダクターメモリソリューションは、FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトをリニューアルしました。

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃動作の 4MビットFeRAM「MB85RS4MTY」の量産品提供を、今月から開始しました。 本製品は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1に 準拠しており、高信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム （ADAS）や高性能産業用ロボットに好適なメモリです。

富士通セミコンダクターメモリソリューションは、メモリ製品カタログを最新版（2021年度版）に更新しました。

バッテリーレスソリューションによる電子ペーパーの新しいカタチ 富士通セミコンダクター株式会社は、E Ink Holdings Inc.と共同で、電子ペーパーディスプレイの表示をUHF帯無線給電により、バッテリーレスで書換えることが可能な技術を開発しました。近接通信のNFCと違い、このUHF帯の技術を使用することにより、従来密着のみであったデータ書換え時の通信距離を大幅に改善し、電子ペーパーとUHF帯RFIDを組み合わせた新たなアプリケーションの創造が期待できます。

業界最小クラスの読出し電流により、補聴器、スマートウォッチなどに最適 富士通セミコンダクター株式会社は、ReRAMの量産製品としては世界最大容量となる8MビットReRAM、“MB85AS8MT”を9月から提供開始します。本製品は、パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社と共同製品開発したReRAM製品です。 MB85AS8MTは、1.6Vから3.6Vのワイドレンジの電源電圧をもち、EEPROM互換のコマンドおよびタイミングで動作するSPIインターフェースの不揮発性メモリです。 本製品の大きな特長としては、5MHz動作時の平均読出し電流が0.15mAと非常に小さいことです。したがって、データの読出し動作が頻繁な電池駆動のアプリケーションでは電池の消耗を最小限にできます。 超小型パッケージのWL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）での提供も可能ですので、補聴器、スマートウォッチ、スマートバンドなど小型のウェアラブルデバイスに最適なメモリです。