高性能枚葉式常圧CVD(APCVD)装置 (A200V)
少量・多品種向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 枚葉式常圧CVD(APCVD)装置(8インチSiCウェハ対応)
A200Vは、層間絶縁膜・パッシベーション膜(保護膜)・犠牲膜等のシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした枚葉式常圧CVD装置(APCVD装置)です。 【特徴】 ・絶縁膜・拡散/インプラマスクの成膜に好適 ・枚葉式Face-down成膜による低パーティクル成膜 ・密閉式チャンバーによる高い安全性と成膜安定性 ・ウェハ反り矯正機能（特許取得済）によるSiCウェハ対応 ・低負荷・長周期メンテナンス ・コンパクト筐体とミラータイプとの隣接設置による省スペース対応 ・低CoO(低ランニングコスト) 【用途】 ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・光導波路(NSG/BPSG) ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
基本情報
密閉式チャンバー内で、ウェハを成膜面を下に向け裏面を吸着した状態で加熱させ、プロセスガスを下部より吹き上げながら成膜するFace-down成膜方式の採用により、低パーティクルで安全かつ高品質な成膜を実現しました。特許取得済のウェハ反り矯正機能により、SiCウェハの様な反りの大きなウェハでも確実に吸着でき、優れた膜厚均一性を得ることが可能です。 ウェハ周辺の副反応生成物の付着を低減させた構成にすることで、メンテナンス性（低負荷かつ長周期）を向上させています。 コンパクトな筐体サイズで、隣接設置も可能なので、フットプリントを最小化することができます。 ●装置サイズ(mm): 890(W) x 2300(D) x 2250(H) ●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション) ●成膜温度: 350～450℃ ※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
価格帯
納期
型番・ブランド名
A200V
用途／実績例
【用途】 ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・光導波路(NSG/BPSG) 【納入実績】 ・国内外半導体デバイスメーカー ・大学/研究機関・研究所
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取り扱い会社
1930年（昭和5年）に輸出入の専門商社として発足し2020年で創立90周年を迎え、渡辺商行グループの更なる発展に全力で取り組んでいるところでございます。 1960年代半ばより、半導体業界に対しケイ素(Si)関連製品を販売する方針のもと、石英加工品、シリコーンゴム成形品、洗浄装置などの自社製品を製造販売を開始いたしました。 モノづくり商社として、質の高い製品・サービスを提供することにより、IT社会の成長とともに成長してまいりました。 今後とも株式会社渡辺商行を中核とするグループ各社の社員が、毎日活き活きと働き、職場全体が学びの組織となる会社づくりを目指します。 そして、社会の真のニーズに応える強い意志を持ってこれからも日々あらゆる事業に邁進していく所存です。 今後とも益々のご支援とご愛顧を賜りますようお願い申し上げます。
