フラッシュランプアニーリング装置　FLA

半導体など各種材料に！数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間でアニーリング可能です

フラッシュランプアニーリング装置　FLAは、DTF-FLA ウルトラショートタイムアニーリング用にデザインされたスタンドアローン装置です。半導体材料、その他の材料に対して、数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間のアニーリングをすることが可能です。非常に短いパルス（マイクロ/ミリ秒レベル）のキセノンフラッシュランプにより、超高速昇温レートで表面のみ加熱しますので、フレキシブル基板、耐熱温度の低い基板上の膜のアニ－リング処理等に使用できる研究開発用の小型装置です。コンパクトで使い勝手がよく、各種アプリケーションの研究開発に最適です。詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

基本情報

【特徴】 ○DTF-FLAウルトラショートタイムアニーリング用デザインのスタンドアローン装置 ○半導体材料、その他材料に対して数ミリ秒～数百ミリ秒の超短時間アニーリングが可能 ○コンパクトで使い勝手がよく、各種アプリケーションの研究開発に最適 ○非常に短いパルス（マイクロ/ミリ秒レベル）のキセノンフラッシュランプにより、　超高速昇温レートで表面のみ加熱 ○フレキシブル基板、耐熱温度の低い基板上の膜のアニ－リング処理等に使用 ○CIS、CIGS等のソーラーセル（フレキシブル、ガラス基板等）の　ヘテロエピレーヤーの膜質向上　　 ○ITO等の透明導電性酸化膜の改質（フレキシブル、ガラス基板等） ○a-Si、Poly Siの結晶性の向上 ○インクジェットによる半導体材料、超薄金属膜、シリコンナノ粒子のアニーリング処理 ○Si、Ge、Sn等のナノクリスタルの形成 ○ローカルメルティング-再結晶化／FLASiC(SiC on Si) ○ドーパントの活性化（SiC/GaAs）ウルトラシャロージャンクション（Si） ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

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用途／実績例

【用途】 ○ランプアニーリング ○アニール ○アニーリング装置 ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

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