イオンエネルギー測定器
エッチングやスパッタ、成膜プロセス中のイオンエネルギーの測定ができます。
基本情報
・検出プローブは電極/基板ホルダーに取付けできます。 ・300 ミリトール以内の圧力下で、500 eV までのエネルギーの測定が可能です。 ・500 kHz までのパルスシステムの時間分解測定を44 ns のステップ分解能で検出できます。 ・検出プローブはポータブル式で、複数の チャンバーへ容易に取付けができます。 ・各種のバイアス条件で測定ができます。(シングル、デュアル、マルチの周波数) - フローティング - DC - パルスDC - RF
価格帯
納期
用途／実績例
・プラズマプロセスの開発 ・プラズマプロセスの診断 ・エッチング、CVDの開発ツール ・マグネトロンスパッタリングやHiPIMSの薄膜成膜プロセスの開発
