膜厚調整トリミング装置
独自に開発したイオンソースを使用し、優れた膜厚均一性を達成します。
原理：DCベースイオンミリング 特徴： シンプルで頑丈な構造 素早い反応時間（切削量に応じて） ０エッチング可能 DCベースソース（グリッドレス、フィラメントレス）でシンプルなメンテナンス 適用例: SAWフィルターの温度補償層（SiO2）の膜厚調整、LTO,AlN膜等の膜厚調整 AlN, LTO等圧電膜の膜厚、周波数調整 その他導電体、非導電体膜の膜厚調整 納入実績: 日本：複数台 海外：多数台納入
基本情報
米国AMS社のSAW、BAWフィルタ、その他のアプリケーションで使用されるトリミング装置です。
価格帯
納期
用途／実績例
MEMS、SAWフィルタ FBAR
