オンセミ（onsemi）は、Sineng Electricとの新たなデザインウィンを獲得したことを発表しました。本デザインウィンでは、オンセミの最新世代ハイブリッド・パワー・インテグレーテッド・モジュール（PIM）が、ふたつのユーティリティ規模再生可能エネルギー向けプラットフォームに採用されます。 本PIMは、オンセミのFS7絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ (IGBT)およびEliteSiC技術を搭載しており、Sinengの次世代430 kW液冷エネルギー貯蔵システム（ESS）および320 kWユーティリティ規模太陽光ストリングインバータに使用されます。 オンセミの技術を採用することで、これらのSineng製ソリューションは、効率の向上、高電力密度化、スイッチング損失の低減、熱性能の改善を実現し、ユーティリティ規模の再生可能エネルギー用途における性能基準をさらに引き上げます。競合パワーモジュールとのベンチマーク試験では、オンセミのFS7ベース・ハイブリッドPIMが、320 kW太陽光インバータ構成において0.07％の効率向上を達成し、損失を225 W低減しました。

オンセミは、GlobalFoundries（GF）との新たな協業契約により、次世代窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの開発および製造を650V製品からスタートさせ、インテリジェントパワー分野におけるリーダーシップを拡大します。オンセミの製品は、GFの200mm eMode GaN-on-siliconプロセスと、オンセミが業界をリードするシリコンドライバ、コントローラ、および熱特性が強化されたパッケージを組み合わせ、AIデータセンター、自動車、産業、航空宇宙、防衛、セキュリティの各用途向けに最適化された、より小型で高効率なシステムを提供します。