ティー・ケイ・エス株式会社 公式サイト

2025年7月28日午前に発生いたしました通信障害により、お電話が繋がりにくい状況が発生しておりましたが、システムが全て復旧いたしました。 原因はネットワーク機器の不具合によるもので、7月30日15時55分現在は電話・ネットワークともに正常に稼働しております。 この度は、長時間にわたり多大なるご不便、ご迷惑をおかけいたしましたことを、深くお詫び申し上げます。

ご紹介開始より、各社様からご好評を頂いております、PlasmaQuest社製 リモートプラズマ イオンビームスパッタリング装置のページを更新いたしました。 リモートプラズマ ターゲットバイアス スパッタリングの動画を掲載いたしました。 ご質問、ご要望等ございましたらお気軽にお問い合わせください。

ご紹介開始より、各社様からご好評を頂いております、PlasmaQuest社製 リモートプラズマ イオンビームスパッタリング装置のページを更新いたしました。 特に、多くのお客様からのお問い合わせを頂いております「反応性スパッタの制御能力」について記載をいたしております。 ご質問、ご要望等ございましたらお気軽にお問い合わせください。

これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体ターゲットや、金属ターゲットとセラミックターゲットなどの異物質Co-スパッタ研究。 次世代のMEMS用途として注目されるAlScN成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。 ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体ターゲットや誘電体ターゲットも安定した製膜を実現します。 イオン源とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層薄膜も成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。

MEMS Engineerフォーラムは、21世紀のキーテクノロジーとされるMEMS技術のキープレイヤーの中でもエンジニアを中心に運営されるユニークなフォーラムです。 世界中のMEMS研究者、開発者、技術者が一堂に集うこのフォーラムの技術展示会にて、Plasma Quest Ltd.社製 リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置のご紹介と技術展示をいたします。 弊社展示のみならず、MEMSに関する最先端の技術をご覧いただける絶好の機会でございます。ぜひ足をお運びいただきたくご案内申し上げます。