半導体製造プロセスの高速化・省エネ化に貢献する赤外線・加熱技術
【展示会出展】非接触で短時間・高精度の加熱を実現。独自のランプ設計と高いコントロール性で、幅広い加熱工程の課題を解決します。
赤外線放射による非接触加熱で、短時間・高精度な加熱を実現するハロゲンランプヒータです。 優れた昇温・降温性能と、ランプ形状・フィラメント設計による加熱分布の最適化により、半導体製造装置をはじめとする幅広い加熱工程に対応します。 軽量・小型で装置への組み込みが容易であり、面内温度±5℃の精密加熱や、アルミニウムを約10秒で300℃まで昇温する高速加熱にも対応します。 【特長】 ■ 投入電力の65%以上が赤外線に変換され放射される高効率な熱源 ■ スイッチのON/OFFとほぼ同時に応答する優れた昇温・降温性能 ■ レンズやミラーを用いた光学的制御による高いコントロール性 ■ ランプ形状やフィラメント設計を変えることで自在な配熱パターンに対応 ■ 非接触加熱のため対象物を汚染せず、大気中から真空中まで様々な環境に設置可能 ※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
基本情報
【展示会出展情報】 SEMICON Japan 2026 会期：2026年12月9日 (水) 〜 11日 (金) 10：00～17：00 会場：東京ビッグサイト 入場無料（事前登録制） ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■自動車 ■半導体 ■フラットパネルディスプレイ ■太陽電池 ■樹脂 ■家電製品その他 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
