固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 半導体ウェハ用
表面特性の分析を直接評価。表面特性の解明と改良、及び新しい材料開発に貢献します！
流動電位及び流動電流の測定原理に基づき、半導体ウェハのゼータ電位を評価します。 クランプセルは、SurPASS 3を用いて半導体ウェハ等の平面形状サンプルを測定するためのツールです。独自のメカニズムで設定した接触圧力によってサンプルを装着し、再現性の高い測定を実現します。 高い柔軟性 ・電解液の流路を挟んで同一のサンプル表面を向かい合わせ、そのサンプルのゼータ電位を求める構成と、リファレンス表面を使用する非対称構成の2つの異なるサンプルアレンジメントが可能 ・異なる厚さのサンプルの非破壊測定が可能 SurPASS３では、次の情報を得ることができます。 ・表面が液体に接触したときの帯電挙動 ・pH及びイオン強度の影響 ・表面化学特性に特有の等電点 ・特定の表面官能基の存在 ・表面改質の評価 ・添加剤の表面への吸着と脱着の挙動
基本情報
【測定対象】 半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ 、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ) 【測定サンプルの規格】 サンプルサイズ ：最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm サンプル厚さ ：最大 40 mm 【測定範囲】 流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV) 流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA) セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω) 圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar) 圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要 pH ：pH 2～pH 12 導電率 ：0.1～1000 mS/m 温度 ：20～40 °C 【寸法】 600 mm x 432 mm x 245 mm 【重量】 26 kg
価格帯
1000万円 ~ 5000万円
納期
応相談
用途／実績例
■化学工業 ■化粧品・パーソナルケア ■医薬品・医学・バイオテクノロジー ■材料科学 ■環境科学 ■紙・テキスタイル ■鉱物・鉱業・原料 ■電子工学 ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
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取り扱い会社
アントンパールは、機械工だったアントン・パールによって1922年にオーストリア・グラーツで設立されました。 現在、世界110か国以上で約4,500人の社員を擁し、研究・開発・品質管理に使用される分析機器の開発、製造、販売、サポートを世界規模で展開しています。 アントンパール・ジャパンは、Anton Paar GmbHの100％子会社として日本のお客様へアントンパール製品の販売およびサポートを提供しています。 東京（本社）と大阪（大阪営業所）にオフィスとラボを構え、ラボには粘弾性測定装置、密度・比重計、マイクロ波試料前処理装置など、ほぼ全ての装置を展示しています。 専門のアプリケーションスタッフによるサンプル測定やデモンストレーション、ユーザートレーニングなど、幅広い用途でご活用いただけます。
