窒化物結晶成長
各種半導体基板上への窒化物半導体結晶の成長実績あり。ご要望に応じたカスタマイズも可能。
基本情報
成長実績(一部) ■LED構造(発光波長380～560nm) ■窒化物DBR ■GaN選択成長 成長可能な結晶膜 ■GaN ■AlN ■AlGaN ■GaInN ■AlInN ドーパント ■Mg ■Si
価格帯
納期
用途／実績例
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取り扱い会社
弊社イー・アンド・イー・エボリューション株式会社は、愛知県名古屋市にある名城大学発のスタートアップ企業です。 同大学の半導体研究室で培われている窒化物系LED研究に関連する発光デバイスの基礎研究、並びに各加工技術を源流とした技術・ノウハウを強みに受託加工・受託研究を行い、お客様のご要望を叶える事業を展開しております。 半導体ウエハへの微細加工・窒化物半導体結晶成長・デバイスプロセス加工などの複数工程を跨ぐ加工から金属成膜やドライエッチング加工、基板小片化やポリッシング等半導体製造にかかる各工程を個別に承ることが出来ます。 また、現在新機軸の光源・システムを開発する企業として名乗りを上げるべく、研究開発に挑戦することで半導体の可能性を追求し、世の中を変え得る技術の開発に挑んでおります。
