インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 公式サイト

窒化ガリウム(GaN)半導体の需要が拡大し続ける中、インフィニオンテクノロジーズ はこの潮流をとらえ、GaN市場における垂直統合型デバイスメーカー(IDM)としての 地位を盤石なものにするための態勢を整えています。 当社は、300mmウエハーでのスケーラブルなGaN製造が順調に進んでいることを 発表しました。 また、シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、GaNという3つの半導体材料すべての 利用に習熟しています。 GaN半導体は、電力密度の向上、スイッチングの高速化、電力損失の低減によって、 スマートフォンの充電器、産業用ロボットやヒューマノイドロボット、太陽光 インバーターのような電子機器の設計の小型化、電力消費と発熱の低減を実現します。

インフィニオン テクノロジーズは、株式会社シーアイエスの新しいUSB 5Gbit/s および10Gbit/sカメラ向けにEZ-USB FX5およびFX10コントローラーを供給します。 これらのデバイスは、広く採用されているUSBペリフェラルコントローラーである EZ-USB FX3に、高速USB 10Gbit/sおよびLVDSインターフェースのサポートを追加 したものです。 この進歩によって、総データ帯域幅が前世代より最大275％増加し、データ転送の 大幅な高速化とシステム性能の改善が可能になりました。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、PSOC 4 HVMS 製品ファミリーを発表して、PSOC 4 HV マイクロコントローラー(MCU) プラットフォームを拡張します。 この新しいファミリーは、高電圧機能と高度なアナログセンシング機能を 標準マイクロコントローラーに統合することにより、最小限の外部コンポーネント によって自動車のバッテリーと車両ネットワークに接続する、スペースに 制約があるセンシング用途やアクチュエータ用途に最適化されています。 このリリースは、独インフィニオンテクノロジーズ社が6月12日付けで発表した 資料の日本語訳です。原文(英語版、ドイツ語版)は、インフィニオンの ドイツ本社のホームページに掲載しております。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、新たなソリッド ステート電力供給システムを実現するために、新しいCoolSiCJFET製品 ファミリーを追加して炭化ケイ素(SiC)ポートフォリオを拡張します。 CoolSiCJFETは、堅牢な短絡機能、線形モードでの熱安定性、正確な過電圧制御 機能により、ソリッドステート サーキット ブレーカー(SSCB)、AIデータセンター ホットスワップ、eFuse、モーター ソフトスターター、産業用安全リレー、車載用 バッテリー切断スイッチなど、幅広い産業および車載用途で信頼性が高く効率的な システム性能を発揮します。 このリリースは、独インフィニオン テクノロジーズ社が5月5日付けで 発表した資料の日本語訳です。原文(英語版、ドイツ語版)は、 インフィニオンのドイツ本社のホームページに掲載しております。

インフィニオン テクノロジーズ (FSE： IFX / OTCQX： IFNNY) は、 双方向の電圧と電流をアクティブにブロックできる窒化ガリウム(GaN) スイッチである、CoolGaN双方向スイッチ(BDS)650 VG5を発表しました。 ダブルゲート構造を持つ共通ドレイン設計のこの製品は、インフィニオンの 堅牢なゲート注入トランジスタ(GIT)技術を利用し、インフィニオンの CoolGaN技術によって実現されるモノリシック双方向スイッチを提供します。 このデバイスは、コンバーターにおいて一般的に使用される従来の バックツーバック構成の極めて効率的な代替品として機能します。 このリリースは、独インフィニオン テクノロジーズ社が5月12日付けで 発表した資料の日本語訳です。原文(英語版、ドイツ語版)は、 インフィニオンのドイツ本社のホームページに掲載しております。