米国国際貿易委員会(US ITC)の本委員会が2026年5月7日に下した最終判断は、 大統領レビュー期間の終了を受けて確定しました。 これにより、イノサイエンスが窒化ガリウム(GaN)技術に関するインフィニオン の特許を侵害していることが認定され、イノサイエンスに対して米国への輸入 および販売の禁止が命じられました。 インフィニオンのGaNビジネスラインの責任者は「今回の決定は、インフィニオンの 知的財産の強固さを改めて示すものです。当社は引き続き、インフィニオンの 特許ポートフォリオを積極的に保護し、業界における公正な競争を維持していきます。 300mm GaN製造技術により、イノベーションを拡大して、脱炭素化やデジタル化を 加速するために顧客が必要とする性能、品質、コスト面での優位性を提供できる、 立場にあります」と述べています。

ドイツ・ミュンヘン地方裁判所第一部(Landgericht MünchenI)は 本日、インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)と イノサイエンスの間で争われた窒化ガリウム(GaN)技術に関する 特許侵害訴訟において、インフィニオンに有利な判決を下しました。 本件は、インフィニオンが保有するGaN技術の特許の中国企業 イノサイエンスによる無断使用に関するものです。 本日の判決により、裁判所はイノサイエンスに対し、特許を侵害する 製品のドイツ国内への輸入、販売、およびマーケティングを禁止しました。 さらに、裁判所はイノサイエンスに対し、インフィニオンへの損害賠償の 支払いを命じました。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、計画より 数カ月前倒しでドレスデンにおいて「スマート パワー ファブ」を 開設しました。 総額50億ユーロにおよぶ同工場は、インフィニオン史上最大の単独投資であり、 ドイツにおいても最大級の投資プロジェクトの一つとなります。 また、1,000人の直接雇用を創出します。この新工場により、ドレスデン拠点での 製造能力は倍増し、インテリジェント パワー半導体およびアナログ/ミクスド シグナル技術において世界最大の製造拠点が誕生します。

インフィニオンテクノロジーズは、ams OSRAM Groupから非光学アナログ/ ミックスドシグナルセンサーポートフォリオの買収を完了しました。 本取引は2026年2月に発表され、必要なすべての規制当局の承認を取得しています。 今回の買収により、インフィニオンは産業および車載用途向けセンサー分野における グローバルカンパニーとしての地位を強化するとともに、補完的なポートフォリオにより 医療用途における製品群も拡充します。 ■本取引によりインフィニオンはセンサー分野でのグローバルカンパニーとしての地位を一層強化 ■取得事業は2026年の暦年売上高として約2億3,000万ユーロを見込み、取引完了時点からEPSに寄与 ■約230名のams OSRAMの従業員がインフィニオンに加わる

インフィニオン テクノロジーズは本日、インフィニオンとして初めての 超広帯域製品ファミリーとなるAIROC UWB TSL100を発表しました。 インフィニオンのAIROCポートフォリオの一環として位置付けられるTSL100は、 高精度な測位とスマートな存在検知を単一チップで実現するとともに、 低消費電力と高いセキュリティを両立する新アーキテクチャを採用しています。 TSL100は、AIROCポートフォリオの一環で、将来のIEEE802.15.4abをはじめとする 規格への対応を視野に入れたスケーラブルなUWBプラットフォームの第一弾であり、 CCC、Aliro、FiRaといった業界コンソーシアム規格にも準拠しています。 測距 (ranging) とセンシング機能を単一デバイスに統合することで、セキュアな 車両アクセス、車室内の存在検知、アクセス制御、非接触決済、チケット発行、 屋内ナビゲーションといった用途に加え、資産追跡や衝突回避などの産業用途にも 対応します。

ガートナーは、新レポート「AI Vendor Race：Infineon Is the Company to Beat in AI Data Center Power Semiconductors」において、 急速に進化するAIデータセンター向けパワー半導体市場を分析し、 インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX： IFNNY)を同分野における 「Company to Beat (打ち負かすべき企業、最有力企業)」に位置付けました。 本レポートでは、インフィニオンが有する包括的な製品ポートフォリオ、 製造能力、そして先端技術への早期投資が、この評価の決定的要因として 挙げられています。

インフィニオンテクノロジーズは、車載システムの開発サイクル短縮に向けて、 マイクロコントローラー(MCU)の評価を加速するためにAmazon Web Services (AWS)と連携しています。 この連携の一環として、インフィニオンはAWSを基盤としたクラウドベースの 車載MCU仮想評価プラットフォームを発表しました。 この新プラットフォームは、物理ハードウェアへの依存を排除し、 評価に要する期間を従来の数週間から数分へと大幅に短縮します。 また、ユーザーあたりの評価コストを大きく削減するとともに、世界中で 数百人の同時利用にも対応します。 さらに、インフィニオンの次世代RISC-Vアーキテクチャもすでに統合されています。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 ミュンヘン地方裁判所第一部(Landgericht München I)が、 インフィニオンとイノサイエンスの間で争われている窒化ガリウム (GaN)技術に関する追加の2件の特許侵害訴訟について、 インフィニオン勝訴の判断を下したと発表しました。 具体的には、1件は特許、もう1件は実用新案に基づくものです。 これらの訴訟は、インフィニオンが特許を保有するGaN技術の、 中国企業イノサイエンスによる無断使用に関するものです。 今回の判決により、裁判所はイノサイエンスに対し、追加の 特許侵害製品についてドイツ国内での製造、販売、および マーケティングを禁止しました。さらに、イノサイエンスに対し、 インフィニオンへの損害賠償の支払いを命じました。

メガトレンドであるグリーンモビリティ、ロボティクス、AIは、 信頼性の高い負荷電流処理能力の観点から、パワーシステムに対する 要件はますます厳しくなっています。 こうした課題に対応するため、インフィニオンテクノロジーズは、 モーター制御およびバッテリー保護などのオン抵抗が重要となる アプリケーションに向けて最適化されたOptiMOS8 100VパワーMOSFET テクノロジーを発表しました。 従来世代のOptiMOS5と比較して、新しいOptiMOS8は価格性能比および 使いやすさが向上するとともに、オン抵抗が最大44％低減しています。 これにより、モータードライブインバーターアプリケーションにおいて 最大18％高いピーク電流出力を実現し、新たな業界ベンチマークを確立します。 バッテリーマネジメントシステム(BMS)におけるバッテリー保護などの 静的スイッチング用途では、オン抵抗の改善により、より高い電力密度、 部品点数の削減、または熱性能の向上が可能になります。

インフィニオンテクノロジーズは、堅牢な750V CoolSiC G2技術を ベースとした炭化ケイ素(SiC)双方向スイッチ(BDS)を発表しました。 本製品は、コモンドレイン構造を採用した垂直統合型デュアルダイを トップサイド冷却対応のQ-DPAKパッケージに搭載し、2つのパワースイッチ を1つのデバイスに統合しています。 これにより設計の簡素化と従来の回路トポロジーの刷新を実現します。 750V CoolSiC BDSは、現代の電力網やエネルギーシステムが求める 信頼性マージンを提供し、アプリケーションライフサイクル全体における 総所有コスト(TCO)の低減に貢献します。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 電気自動車のオンボードチャージャーやAIデータセンター向け電源など、 スペース制約の厳しい環境において高電力密度化の需要が高まっている ことを受け、これらの要件に対応するコンパクトなパワーモジュール EasyPACK SとパッケージコンセプトをPCIM Europe 2026で発表しました。 EasyPACK Sは、高さわずか5.6mm、約33x36mm2のフットプリントを 実現しています。これにより、システムの大幅な小型化が 可能になるとともに、信頼性の高い熱性能と電磁干渉の低減を実現します。 この新しいパッケージを採用した最初のモジュールには、インフィニオンの CoolSiC MOSFET 1200V G2、IGBT4およびIGBT7の1200Vが統合されています。

インフィニオン テクノロジーズはインフィニオンのOPTIGA Trusted Platform Module(TPM)SLB 9672をNVIDIAのJetson Thorプラットフォームに統合した ことを発表しました。 本ハードウェアベースのセキュリティソリューションは、暗号鍵を安全に 保管するとともに、チップレベルでシステムの完全性を検証し、フィジカル AIシステムに向けた認証済みかつ量子耐性を備えたルートオブトラスト (信頼の基点)を確立します。 今回の統合によりセキュリティ基盤が強化され、ロボットや自律型システムが ライフサイクル全体を通じて安全かつ信頼性高く動作することが可能となります。 これらのシステムが管理された環境から工場や公共空間へと展開されるにつれ、 セキュリティ上の欠陥は単なるデータ損失にとどまらず、運用停止や規制上の 責任問題へと直結するリスクがあります。 ロボティクス業界においては、設計段階(デザインイン)でのセキュリティ アーキテクチャに関する意思決定が、長期にわたってビジネス面および コンプライアンス面で重要な影響を及ぼします。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 AIデータセンター向け需要の拡大と、ソリッドステート電力保護への 移行を背景に、CoolSiC JFETポートフォリオを拡充します。 新たなデバイス、パッケージオプション、および構成により、 高性能な電力配分および保護システムを支援します。 昨年導入されたQ-DPAKパッケージの750Vおよび1200V CoolSiC JFETは、 現在量産への移行段階にあります。また、PCIM Europe 2026では さらなるパッケージオプションとノーマリーオフ(Normally-off)の バリアントを発表し、ディスクリート製品ポートフォリオを強化します。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)とシーメンスAGは、 データセンター、製造施設、バッテリー蓄電システムにおける電気的保護の 高度化と信頼性の高い運用の実現に向けて協業します。 本協業の一環として、インフィニオンはシーメンスのSENTRON 3QD2半導体 サーキットブレーカー(半導体遮断器)に採用される炭化ケイ素(SiC) パワーモジュールを供給します。 これにより、シーメンスの保護ソリューションの効率、電力密度、信頼性が 向上します。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 シリコン(Si)および窒化ガリウム(GaN)の電源設計を同一PCB上で 実現可能にする、120V対応の共通フットプリントゲートドライバー EiceDRIVER 2EDL90xG3を発表しました。 AIデータセンターの電力密度がますます高まる中、PCBの再設計を 行うことなく、SiとGaNソリューションを評価および切り替えできることは、 電源システム設計者にとって重要性を増しています。 2EDL90xG3はこのニーズに直接対応し、48Vおよび高電圧中間バスコンバーター (HV IBC)アプリケーションをサポートするとともに、技術評価時の 設計負荷を低減します。 さらに、独自の5Vゲートクランプ機能によりGaN用ゲートドライバーの 電源設計を簡素化し、システム効率の向上にも貢献します。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、サーバーODM およびOEM向けに2つのシステムレベルソリューションを発表しました。 50Vラックアーキテクチャ向けに最適化した18kW三相電源ユニット(PSU) リファレンスデザインと、パワーサイドカーを備えた800VDCまたは ±400VDCラックアーキテクチャ向けに設計した30kW三相インターリーブ T-Type PFC評価ボードの2つです。 AIワークロードの拡大により、先進データセンターではGPUの 電力レベル上昇とラック高密度化が進み、サーバー電源インフラへの 要求が急速に高まっています。 今回の2つのソリューションは、インフィニオンの幅広いAIサーバー向け 電源供給ポートフォリオの一部として、お客様の市場投入までの期間短縮に 貢献するとともに、より高いラック電力、効率と熱性能の向上を実現します。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 AIデータセンターの高電圧(HV)DCバスアーキテクチャ向けに、24kWの バッテリーバックアップユニット(BBU)用DC-DCリファレンスデザインを 発表しました。 本デザインは、650Vおよび1200Vの炭化ケイ素(SiC)技術を用い、 バッテリースタックから800V DCバスへ直接動作する初のソリューションです。 現行の低電圧(LV)BBU実装と同等の物理的なフォームファクタで、 450W/in3の電力密度と99％を超える効率を実現します。 これにより、データセンターがより高い電圧のDC配電へ移行する中で 大きな課題となっているインフラの課題解消に貢献します。

インフィニオンテクノロジーズは電気自動車用インバーター向け パワーモジュールで新たなマイルストーンを達成しました。 HybridPACK Driveファミリーに、新しい1300Vのシリコンカーバイド (SiC)モジュールを投入します。 本製品は最大205℃までの連続動作に対応しており、既存設計で一般的な 上限である175℃を上回ります。 この温度上限の引き上げにより、自動車OEMおよびティア1サプライヤーは、 既存のインバーター設計のままピーク出力および連続出力を高めることが できるほか、新規設計においてはシステムの複雑性と全体コストを低減できます。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 パワーシステムおよびIoTのプロバイダーとして、先進AI データセンターにおける電力供給の変革に貢献するため、 NVIDIAのMGX AIファクトリーエコシステムに参画しました。 インフィニオンの電源管理ソリューションは、エージェントAI時代 に向けたAIファクトリーのためのオープンでモジュラー型の リファレンスアーキテクチャであるNVIDIAのMGXアーキテクチャ および800 VDC電源アーキテクチャをサポートします。 800 VDCのMGX対応電源ラックは、既存のAIインフラにおける計算性能 と電力密度の向上を可能にし、将来のAIインフラへの移行を支援します。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 ドイツ ニュルンベルクで開催される PCIM Europe 2026において、 将来を見据えた電力インフラ、AI データセンター、ロボティクス、 電動モビリティ向けの包括的な半導体ポートフォリオを展示します。 シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)にわたる 幅広いパワーシステムソリューションに加え、ソフトウェア、 ツール、サイバーセキュリティの専門性も紹介します (展示ホール 7、ブース 470)。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)はCoolSiC MOSFET2300Vを内蔵した高電圧電力システム向けの新バリアントを 追加し、XHP2パワーモジュールポートフォリオの製品ラインアップを 拡充します。 新しい2300Vクラスのデバイスは最大1500VのDC-link電圧に対応し、 システム電圧の高電圧化という業界トレンドに対応します。モジュールは 複数のバリアントで提供され、オン抵抗は1mΩ〜2mΩ、絶縁耐圧は4kV または6kVを選択可能です。炭化ケイ素(SiC)技術の活用により、 従来のシリコンベースのソリューションに比べてスイッチング損失と 導通損失の双方を低減します。 これにより、インバーターはより高い効率と電力密度を実現できるほか、 高いスイッチング周波数で動作させて高調波を低減し、システムサイズの 小型化にもつなげられます。新しいXHP2 CoolSiC MOSFETモジュールは、 風力、太陽光発電、蓄電システムなどの再生可能エネルギー用途に 適しています。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、デジタル制御と テレメトリ対応のポイントオブロード(PoL)レギュレーションを網羅する2つの 新製品ファミリーにより、AIデータセンターにおけるDC-DC変換向け 電圧レギュレーション(VR)ソリューションのポートフォリオを拡充しました。 新たなXDPE1Eデジタル多相PWM(Pulse Width Modulation：パルス幅変調)降圧 コントローラーとTDA49720/12/06 PMBus対応PoLを組み合わせることで、 ラックあたりの演算性能を向上させながら、設計サイクルを短縮し、 プラットフォームの迅速な立ち上げを可能にします。

AIサーバーにおける高電力化の需要は引き続き拡大しており、 メーカーにとって新たな課題を生み出しています。 こうしたニーズに対応するため、インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY)は、新製品XDPP1188-200Cを追加し、XDPデジタル電源 コントローラーICファミリーを拡充しました。 本コントローラーは、先端のAIサーバー電源アーキテクチャの要件を満たすよう 設計されています。48Vから12V以下への中間バス電圧変換に加え、将来の高電圧 DCシステムにも対応しており、±400Vまたは800V DCのバス電圧を48V、24V、 または12Vへ変換することが可能です。 この方式により、バスバーおよび配電経路における電力損失を最小限に 抑えることができます。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、±400Vおよび 800V DC駆動のAIサーバー電源アーキテクチャへの移行を加速できるよう支援する、 2つの新しい高電圧中間バスコンバーター(HV IBC)のリファレンスデザインを 発表しました。 インフィニオンの650V CoolGaNスイッチによって実現されたこれらの リファレンスデザインは、増大するAIワークロードに対応し、ラック電力の 増加、電力分配損失の低減、熱性能の向上を求めるハイパースケーラー、 電源設計者、サーバーOEM 向けに設計されています。

インフィニオンの最高経営責任者(CEO)は「インフィニオンは、当会計年度 上半期に自社の目標を完全に達成しました。下半期には以前の予想よりも 力強い成長が予想され、多くの最終市場で幅広い上昇局面が見込まれます。 AIブームは一層強まり、AIデータセンター向け電力供給ソリューションには かなり大きな需要があります。電力インフラの拡張は勢いを増しており、 当社の産業用事業にとってますます重要な成長要因となっています。 オートモーティブでは、とりわけソフトウェア定義車両(SDV)では好ましい 進展が見られますが、eモビリティ向け高電圧事業の厳しい状況が重荷と なっています。オートモーティブでのさらなる市場シェアの獲得は、私たちが 全体的に正しい方向に進んでいることを裏付けています。当社は、自信を持って 下半期を迎えていますが、一方で地政学リスクやマクロ経済リスクを引き続き 注視しています。自社の組織体制を着実に発展させ、効率化しており、重点アプリ ケーションに対する責任の明確化を通じて、革新的なシステム ソリューションを より迅速に顧客に提供し、意思決定を加速させます」と述べています。

米国国際貿易委員会(ITC)本委員会は、2025年12月の当初判断を維持し、 イノサイエンスが窒化ガリウム(GaN)技術に関するインフィニオンの特許を 侵害したと認定し、イノサイエンス製GaN製品の米国における輸入および 販売の差し止めを命じました。 ITCの最終決定と差し止め命令は、米大統領による60日間の審査期間の 対象となります。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)は、 XENSIVセンサーポートフォリオを拡充し、超低ノイズと高帯域・高精度を 両立するコアレス絶縁型磁気電流センサーTLE4978ファミリーを発表しました。 本製品は、EV充電からAIデータセンターまでの幅広い用途で、より高効率で 信頼性の高い電力変換の実現に貢献します。人工知能(AI)がコンピューティング 基盤を変革し、電動モビリティが移動のあり方を大きく変える中、電力システムには かつてない効率性、速度、精度が求められています。 先進の炭化ケイ素 (SiC)および窒化ガリウム(GaN)パワープラットフォームは、 より高い周波数でスイッチングするため、速度と精度を妥協なく両立する 電流センシングソリューションが不可欠です。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、欧州が実用的、 そして最終的には商業的に成り立つ量子コンピューティングへと移行する動きを 加速する中核的な産業パートナーとなり、SUPREME、CHAMP-ION、SPINSの3つの 量子パイロット ライン プロジェクトに世界トップクラスのエンジニアリング および製造の専門知識を提供します。 欧州の量子パイロットラインは、研究室での研究と産業規模の製造との間の ギャップを埋めることを目的としています。スタートアップ、中小企業、研究機関に 対し、産業グレードの施設へのオープンアクセスを提供し、量子コンピューティング、 量子通信、量子センシング技術の加速を支援します。 全体として、異なるハードウェア プラットフォームにまたがる6つの欧州 プロジェクトが、今後7年間にわたり欧州における量子チップ技術の発展に向けて 選定されています。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 車載半導体サプライヤーとして世界首位の地位を改めて示しました。 TechInsightsが公表した2025年の最新市場分析によると、インフィニオンは 6年連続で車載半導体市場における世界首位を獲得し、主要な競合に対する差を さらに広げました。 急速に変化する自動車業界において、インフィニオンが 選ばれるパートナーであることを裏付ける結果となりました。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、先進的な AIデータセンターの電力需要に対応するため、TLVR(トランスインダクタンス 電圧レギュレーター)インダクタを搭載した高電流密度の4相パワーモジュールを 発表しました。 新製品TDM24745Tは、AIアクセラレータの急速に高まる電力要件を満たすよう 設計された、OptiMOSクアッドフェーズ(4相)パワーモジュールです。 4つのパワーステージ、TLVRインダクタおよびデカップリング コンデンサを 9x10x5mm3のコンパクトなパッケージに集積し、2A/mm2を超える電流密度を 実現しています。 この組み合わせにより、卓越した過渡応答特性が実現し、先進のGPUや AIプロセッサが求める大電流のコアレールに対して、水平および垂直双方の 電力供給構成に対応します。