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OptiMOS パワーMOSFET 25V~100V

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止!高い電力密度と性能を保有

インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連リンク - https://www.infineon.com/cms/jp/product/power/mosf…

基本情報

【その他の特長】 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ■3x3パッケージで最高クラスの RDS(on)を実現 ■柔軟なレイアウトソリューションにより、熱管理を改善し、パッケージサイズを低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯

納期

用途/実績例

【対象アプリケーション】 ■ドライブ ■テレコム ■SMPS ■サーバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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取り扱い会社

当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。

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