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OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載!高い放熱性能

当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30%と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連リンク - https://www.infineon.com/cms/jp/product/power/mosf…

基本情報

【主な利点】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯

納期

用途/実績例

【対象アプリケーション】 ■ドライブ ■テレコム ■SMPS ■サーバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

OptiMOS パワーMOSFET 25 V~100 V PQFN 3.3×3.3 パッケージ

製品カタログ

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取り扱い会社

当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。

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