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EiceDRIVER 1EDN71×6G

200VハイサイドTDIゲートドライバー(GaN SG HEMT、MOSFET用) !

当社の「EiceDRIVER 1EDN71×6G」をご紹介いたします。 高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる、 重要な機能がいくつか搭載されています。 これらの機能には、Truly Dif-ferential Input(TDI)、4つの駆動強度オプション、 アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプ、調整可能な チャージポンプなどがあります。 【特長】 ■Truly differential logic input(TDI) ■4つの駆動力 ■アクティブ ミラー クランプ ■オプションの負の充電ポンプ ■アクティブ ブートストラップ クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連リンク - https://www.infineon.com/cms/jp/product/power/gate…

基本情報

【主な利点】 ■ハイサイド駆動とローサイドのグランドバウンス耐性 ■外付けゲート抵抗なしでスイッチング速度を最適化 ■アクティブ ミラー クランプで誘導ターンオンを回避 ■オプションのチャージポンプにより、必要に応じて誘発される  ターンオンイミュニティを追加可能 ■デッドタイム中のブートストラップ コンデンサーの過充電を回避 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯

納期

用途/実績例

【対象アプリケーション】 ■テレコム ■サーバー ■DC-DC ■モータードライブ ■クラスDオーディオ ■AI ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

EiceDRIVER 1EDN71×6G 200VハイサイドTDIゲートドライバー(GaN SG HEMT, MOSFET)

製品カタログ

取り扱い会社

当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。

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