SiC MOSFET 2000 V
グリーンで効率的なエネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現！
『SiC MOSFET 2000 V』は、O-247PLUS-4-HCCパッケージ 12～100mΩのラインアップで提供しています。 10～80Aのダイオード製品と組み合わせることで、過酷な高電圧および 高スイッチング周波数条件下でもシステムの信頼性を損なうことなく 電力密度を向上させるよう設計されています。 CoolSiC技術の低い電力損失は、2000V用に最適化されたパッケージの .XT相互接合技術によって信頼性を向上させ、グリーンで効率的な エネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現します。 【特長】 ■VDSS ＝ 2000V：DCリンク1500Vまでのシステム用 ■きわめて低いスイッチング損失 ■革新的なHDCパッケージ ■沿面距離 14mm ■空間距離 5.4mm ■業界標準となるゲート閾値電圧：VGS(th) ＝ 4.5V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【主な利点】 ■最大DC1500Vシステムに対応する2レベルシンプルトポロジー ■高い電力密度 ■優れた信頼性 ■高効率 ■設計の容易さ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
型番・ブランド名
CoolSiC 2000 V IMYH200RxxxM1H
用途／実績例
【対象アプリケーション】 ■太陽光発電 ■蓄電システム ■EV充電 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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取り扱い会社
当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。
