SiC MOSFETディスクリート 1200 V/30 mΩ
性能と信頼性を両立させるために最適化された先端のトレンチ半導体プロセスで作られています！
TO247-4パッケージ搭載1200 V/30 mΩの当製品は、先端のトレンチ半導体 プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流 ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルド フリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう 最適化されています。 DC-DCコンバーターまたはDC-ACインバーターなどのハードおよび共振 スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適です。 「TO-247 4ピン パッケージ」は、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス 効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現します。 【特長】 ■最高クラスの低スイッチング損失および導通損失 ■高閾値電圧、Vth ＞ 4V ■0 Vのターンオフゲート電圧による簡単でシンプルなゲート駆動 ■幅広いゲートソース電圧範囲 ■転流用に本格使用可能な定格の堅牢で低損失のボディダイオード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【主な利点】 ■高効率 ■放熱の手間を削減 ■高周波動作 ■高電力密度 ■システムの複雑さを低減 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
型番・ブランド名
TO247-4パッケージ搭載 CoolSiC SiC MOSFET「IMZA120R030M1H」
用途／実績例
【対象アプリケーション】 ■バッテリフォーメーション ■EV充電 ■モーター制御 ■太陽光発電 ■スイッチモード電源(SMPS) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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取り扱い会社
当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。
