MOSFETパワー半導体 CoolMOS 8 SJ 600V
世界先端の高耐圧スーパージャンクションMOSFET技術！技術と価格性能の両方の世界標準を確立
『CoolMOS 8 SJ 600V』は、高速ボディダイオードを内蔵しており、 幅広いアプリケーションに適しているMOSFETパワー半導体です。 P7、S7、CFD7、C7、G7、PFD7などの600V CoolMOS7 MOSFETファミリーの 後継製品であり、インフィニオンのワイドバンドギャップ(WBG)製品群を補完。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■世界最高クラスのRDS(on)A ■高速ボディダイオード内蔵 ■優れたハードコミュテーション耐性 ■先進の相互接合技術 ■7mΩから段階的に取り揃えた製品ラインアップ ■上面放熱パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【主な利点】 ■P7に比べて効率が0.1％、C7に比べて0.17％向上 ■使いやすく、短時間で設計が可能 ■リンギングの発生を低減 ■Rthを14～42％低減 ■シンプルな製品ラインアップ ■システムレベルでのイノベーション ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【対象アプリケーション】 ■サーバー、テレコム ■スーパーソリッドステートソリューション(リレー、サーキットブレーカー) ■EV充電、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム ■UPS ■産業用SMPS ■照明機器 ■住居用エアコンPFC、冷蔵システム-コンプレッサ ■アダプターおよび充電器 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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取り扱い会社
当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。
