MOSFETパワーモジュール CoolSiC M1H 1.2kV
厳しい条件下での使用に最適化、電圧オーバーシュートの低減!導通損失の最小化
『CoolSiC M1H 1.2kV』は、高い電流密度と耐湿性がある MOSFETパワーモジュールです。 M1H技術により、VGS(th)および RDS(on)ドリフト、ゲート駆動電圧 ウィンドウに対するチップ性能を向上させており、2.9mΩで熱伝導材料 (TIM)塗布オプションを選択できます。 SiCによる成熟した62mmパッケージ技術の拡張により、高速スイッチングと 低損失ともに要求されるアプリケーションに対応します。 【主な特長】 ■堅牢なボディダイオードを内蔵し、適切な温度条件を実現 ■ゲート酸化膜の高い信頼性 ■宇宙線に対する高い堅牢性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【主な利点】 ■高速スイッチングできわめて低い損失 ■上段と下段のスイッチが同じ動作をするような対称的なモジュール設計 ■標準的なモジュール構造技術により、高い信頼性を確保 ■62mmの量産ラインで生産 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
型番・ブランド名
62mmパッケージ
用途/実績例
【対象アプリケーション】 ■蓄電システム ■EV充電 ■太陽光発電 ■無停電電源装置(UPS) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。