パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』
完全なハードウェアで各回路を保護！最大6枚のウエハーの同時バーンインに対応
『wafer level burn-in』は、GaN、SiCデバイスをウェーハでバーンインでき、パワーモジュールの検査ロースを大幅にカットできる設備です。 最大6枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。 また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで 各回路を保護します。 【特長】 ■GaN、SiCウェーハのバーンインに好適 ■治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能 ■ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能 ■HTGB電圧±75V、HTRB電圧2000V（アップグレード可） ■Igss、Idss、Vth、Idson検査に対応 ■温度範囲 RT-200C ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
パラメータ 仕様 適用製品 GaN、SiC Wafer 適用パッケージング 4インチ、6インチ Wafer バーンインパラメータ HTGB、HTRB テストパラメータ Igss、Idss、Vth システムサイズ (mm) 2100(W) X 1900(H) X 1800(D) システムの消費電力 <32 kW 窒素防護 >0.6 mPa 温度範囲 常温-175 ℃ 電圧範囲 ゲート±75 V、ソース2000 V システムチャンネル 720 システム層数 6層 電流・電圧オーバーシュート いずれの場合にもオーバーシュートはありません MESドッキング MESドッキングに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
カタログ（1）
カタログをまとめてダウンロード
取り扱い会社
先端テスト＆計測機器のグローバルサプライヤーです。 高速通信、光チップ、電子計測、パワー半導体といった最先端分野に向けて、研究開発から量産工程まで対応可能な高性能・高集積な測定ソリューションを提供しています。 創業以来、「専心・匠心（Staying Dedicated and Artisanal）」を企業価値の中核に据え、測定原理への深い洞察とクラフトマン精神を融合させた製品開発を追求してきました。 “世界の技術革新を支える最良のテストソリューション企業”を目指し、今後もグローバルな産業課題に応える高性能・高効率・高信頼のソリューションを提供してまいります。
