Semi Next株式会社 本社、三重事業所 公式サイト

『wafer level burn-in』は、GaN、SiCデバイスをウェーハでバーンインでき、パワーモジュールの検査ロースを大幅にカットできる設備です。 最大6枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。 また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで 各回路を保護します。 【特長】 ■GaN、SiCウェーハのバーンインに好適 ■治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能 ■ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能 ■HTGB電圧±75V、HTRB電圧2000V（アップグレード可） ■Igss、Idss、Vth、Idson検査に対応 ■温度範囲 RT-200C ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

　パラメータ 　　　　　　　　　仕様 適用製品 　　　　　　　　 GaN、SiC Wafer 適用パッケージング 　　 　4インチ、6インチ Wafer バーンインパラメータ　 HTGB、HTRB テストパラメータ　　　 Igss、Idss、Vth システムサイズ (mm) 　　 　 2100(W) X 1900(H) X 1800(D) システムの消費電力 　　 　<32 kW 窒素防護 　　　　　　　　　 >0.6 mPa 温度範囲 　　　　　　　　　 常温-175 ℃ 電圧範囲 　　　　　　　　 　ゲート±75 V、ソース2000 V システムチャンネル　　　　　 720 システム層数 　　　　　　 　6層 電流・電圧オーバーシュート 　　いずれの場合にもオーバーシュートはありません MESドッキング MESドッキングに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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