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SemightのS3030Fは、コンパクトでコスト効率の高い単一チャネルの高電圧・高出力のソースメジャーユニット（SMU）です。電圧と電流を同時に出力および測定することができ、最大±3500V、±120mA（直流）、180Wの出力を提供します。S3030Fは、パワー半導体の特性評価、GaNやSiCの特性評価、複合材料の評価、高電圧リーク電流テストなど、幅広い分野で活用可能です。 また、S3030Fは従来のSMUのSCPIコマンドに対応しており、テストコードの移行が簡単で迅速に行えます。さらに、複数台の機器での同期をサポートしており、製造テストシステムに統合することで、システム全体のテスト効率を向上させ、コスト削減が期待できます。

・単一チャネルで4象限の電源と測定機能を統合し、1台の機器で電流と電圧を簡単かつ正確に測定でき、接続を変更する必要がありません ・出力範囲：±3500 V、±120 mA（直流）、複数の低電圧電源を直列に接続することなく高電圧テストを簡単に実現でき、高電圧デバイスの特性テストが可能 ・最小測定分解能は1fA/100uV、以前は高価な半導体デバイスアナライザが必要だった低レベル測定を、低コストのベンチトップSMUで実現 ・高速測定が可能で、最大1MのADCサンプリングレートをサポートし、NPLCやサンプリングレートの設定が選択可能 ・5インチのカラーレジスタタッチスクリーンにより、簡単に使用できるフロントパネルGUIを提供し、フロントパネル上での測定とデータ表示が迅速かつ簡単に行え、インタラクティブなテスト、特性評価、デバッグ操作を大幅に加速 ・PC用の無料のGUI制御ソフトウェアにより、プログラミングを行うことなく、PCからリモートで測定および制御が可能 ・単独または複数台の同期が可能で、純粋なハードウェアによる高速同期により、マルチチャネルの低遅延同期を実現

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S3030F

S3030Fは高電圧電子機器やパワー半導体デバイスの特性分析およびテスト用に特別に設計されています。例えば、ダイオード、FET、IGBTなどのデバイス、および高電圧が必要な他のコンポーネントや材料、迅速な応答、正確な電圧・電流測定が求められる場合に適しています。 主な用途としては以下があります： ・パワー半導体デバイスの特性分析とテスト ・GaN、SiC、Ga2O3および他の複合材料やデバイスの特性分析 これらのデバイスや材料は、特に高電圧・高速応答・精密な測定が重要となるため、S3030Fが好適な選択肢となります。