S2019C PXIe ソースメジャーユニット（SMU）
4チャネル・高分解能・高速サンプリング——多様なデバイス・アプリケーションに対応するPXIe SMU
基本情報
▶高分解能（1μV/1pA） 電流分解能1pA、電圧分解能1μV。nAレベルの漏れ電流やμVの微細信号を精密に測定可能。 ▶4チャンネル独立・同期制御 4チャンネル同時に出力・測定が可能で、複数デバイスのIV測定や特性スキャンの効率が大幅向上。 ▶±40V/±1A広範囲・双方向出力 ±40V/±500mA（DC）、±1A（パルス）出力対応。高精度センサや半導体デバイス試験に最適。 ▶1MS/s高速サンプリング＋APFC制御 1MS/sの高速ADC＋APFC（自適応精密制御）で、微細な出力変動にも即応、測定遅延を抑制。 ▶マルチカード同期＋自動化対応 PXIe準拠。多カードの同期拡張・トリガー同期・SCPI制御対応。C#/Python/C/C++/LabVIEW対応。
価格情報
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納期
型番・ブランド名
4チャネル PXIe ソースメジャーユニット
用途／実績例
▶半導体デバイスIV特性測定 MOSFET、IGBT、BJT 等の±40V/±1A電圧・電流ソースによる高精度スイープ測定に対応。 ▶シリコンフォトニクスチップ試験 nA級暗電流を1pA分解能で安定測定、4ch並列＋多探針構成で800G光モジュールの信頼性評価に対応。 ▶センサー・MEMSデバイス評価 μV/nAレベルの微小信号測定に対応、感度校正や環境応答テスト用途で活用。 ▶自動化検査システム PXIe標準対応、SCPIコマンド＋C/C++/Python/LabVIEW制御により量産ラインへ組込実績あり。
詳細情報
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【応用例】半導体デバイスのIV特性評価 ▶応用分野 半導体デバイス（MOSFET、IGBT、BJT）のIV特性解析 ▶主な特長 ±40V/±1Aの広電圧・電流出力範囲、1μV/1pAの高分解能により、nA〜A級の電流変化を高精度に測定可能 ▶経済性／効率性 1枚のカードに4ch独立出力、4端子構成のデバイスにも対応し、テストコストを抑えた高効率評価を実現
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【応用例】— シリコンフォトニクスウェーハテスト：高集積チップの微小暗電流測定を実現 ▶応用分野 シリコンフォトニクスデバイスのウェーハレベルでの暗電流テスト ▶解決課題 高集積チップのnA級暗電流測定（製品歩留まり・性能判定に直結） ▶主な特長 - 1pA分解能により微小な漏れ電流を安定測定可能 - 4チャンネル並列構成で複数プローブによる同時測定に対応 - 高速・広範囲なIV測定に対応 ▶適用対象 SiPhデバイス、800G光モジュール、レーザーチップ等
カタログ（2）
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この製品に関するニュース（1）
取り扱い会社
先端テスト＆計測機器のグローバルサプライヤーです。 高速通信、光チップ、電子計測、パワー半導体といった最先端分野に向けて、研究開発から量産工程まで対応可能な高性能・高集積な測定ソリューションを提供しています。 創業以来、「専心・匠心（Staying Dedicated and Artisanal）」を企業価値の中核に据え、測定原理への深い洞察とクラフトマン精神を融合させた製品開発を追求してきました。 “世界の技術革新を支える最良のテストソリューション企業”を目指し、今後もグローバルな産業課題に応える高性能・高効率・高信頼のソリューションを提供してまいります。
