酸化二ケルNiOターゲット高密度高純度光触媒用保護膜用磁性薄膜用
抵抗変化型メモリ（RRAM）、透明導電性薄膜（TCO）、ガスセンサー、スピントロニクスとして使用可能な酸化二ケル材料！
■純度>99.99％ ■理論密度（6.67g/cm³） ■製造方法：焼結法、HP法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
■高密度可能（≧90%） ■比抵抗値 ■純度≧3N ■バッキングプレートとインジュームボンディングも対応可能 ■傷、チッピングなどなし ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【主な用途】 抵抗変化型メモリ（RRAM）、透明導電性薄膜（TCO）、ガスセンサー、スピントロニクス 某大手飛行機のスマートウインドウ品に供給実績あり
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取り扱い会社
当社は、スパッタリングターゲット、ボンデイングサービスにおいて 世界トップレベルの技術をもつ日系中国現地法人工場を長年の経験を持つエンジニアを共に 継承した蘇州テクノテック光電材料有限公司と緊密な協力関係を築いております。 この連携により高品質でコストに優れた製品・サービスとともに お客様ニーズを的確に捉え、最適で最高レベルの製品・サービスをご提供します。 当社はお客様事業の発展を第一に考え、創造性と技術力を最大限に活かしお客様へ新たな価値をご提供していきます。