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インフィニオン、産業用アプリケーション向けに高電力密度を実現する、Q-DPAKパッケージのCoolSiC MOSFET 1200V G2を発表

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インフィニオンテクノロジーズは、トップサイド冷却(上面放熱、TSC) Q-DPAKパッケージのCoolSiC MOSFET 1200V G2を発表しました。 この新デバイスは最適化された熱性能、システム効率、電力密度を提供します。 これは、EV充電器、太陽光発電インバーター、無停電電源装置(UPS)、 モータードライブ、ソリッドステートサーキットブレーカー(SSCB)など、 高い性能と信頼性に対する要求の厳しい産業用アプリケーション向けに 設計されています。

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