インフィニオン、300mmウエハーによるGaNパワー半導体の量産施設を欧州に設立へ
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、欧州に 300mmウエハーを使用する窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の量産施設を 設立します。 本プロジェクトの一環として、インフィニオンは2034年までに、 フィラッハ拠点の既存のクリーンルーム施設に約11億ユーロを投資します。 既存インフラと高度化したインフラの両方を活用することで、製造能力を 極めて効率的かつコスト効率よく拡張できます。 生産開始は2027年末までを予定しています。インフィニオンの投資は、 高性能な電源ソリューションに対する急速な需要拡大に対応するものです。 GaNは、AIデータセンター、エネルギー インフラ、eモビリティ、 ロボティクス、コンシューマー エレクトロニクスなど、数多くの用途で 大幅な効率向上を可能にします。
